继三星和美光之后，韩国存储器大厂SK海力士也决定放缓大陆无锡DRAM新厂原订每月高达18万片产能的增产脚步，有助消除市场对短期供过于求疑虑，让DRAM价格跌势收敛。
法人指出，三星、海力士、美光是全球前三大DRAM厂，市占总和超过95%，三家业者扩产放慢，有助市场供给获得节制，下半年旺季市况可望迈入正向循环，对南亚科等台厂有利。
存储器业者表示，三大存储器厂同步放缓DRAM增产，似乎也感受到中美贸易战不确定因素提高，使得下游买气减弱，三大DRAM厂库存同步升高，若不放缓产能增建速度，恐让短期供过于求难纾解，价格无法止跌。
业者分析，目前三大厂DRAM业务仍处于获利，也是各公司目前最主要的获利来源，若不严控产能，恐将导致获利持续下滑。三大厂先后放满扩产脚步，最主要还是让市场供给有所节制，驱动市况朝正向发展，以利自家公司DRAM业务维持稳健获利局面。
根据韩媒Investor报导，SK海力士原订斥资9,500亿韩元（约8亿美元），在中国大陆无锡C2厂旁，增建C2F厂生产DRAM，新厂已在今年4月完工，原定第3季以10奈米全面量产，月产能可达18万片。
消息人士透过，SK海力士考量中美贸易战导致智慧手机、服务器和个人电脑需求下滑影响DRAM需求，决定延后新产能全面启动时程。SK海力士去年营收近40%来自中国，其中华为占比即达12%。
业界人士指出，今年首季以来，三星、美光都感受到DRAM库存水位升高压力，三星并在首季发动价格战，抢回不少市占；美光本季面临作帐压力 ，跟进降价消化库存，都加大上半年DRAM跌势。
业者表示，DRAM价格经历前波猛烈的跌势后，近期已见需求回温。首先，过去几个月需求停滞的北美伺服器市场买气陆续回温；至于消费电子产品和电脑产品，也因下半年英特尔CPU缺货问题逐步，系统厂也开始扩大备货需求。
各大存储器厂和模组厂仍看好DRAM和储存型快闪存储器（NAND Flash）长期发展，主因进入5G和人工智慧（AI）时代，不管无论云端伺服器和边绿运算，都需要存储器作为高速运算和储存元件。目前二大存储器下跌，纯因短期需求急冻，但未来应用需求仍会在各领域遍地开花，二大存储器已跻身半导体关键元件，长期发展可期。
