据AnandTech报道，长鑫存储技术有限公司（CXMT）已经开始生产基于 19nm 工艺的计算机存储器，且该公司至少制定了两条以上的 10nm 级制程的路线图，计划在未来生产各种类型的动态随机存储器（DRAM）。除此之外，长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂来提高产能。
长鑫存储以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。目前，项目已通过层层评审，并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。
图片来源：AnandTech
目前长鑫存储的月产能约为2万片晶圆，但随着该公司订单量的增长，产量也将逐渐提升。预计到 2020年底，其10nm级工艺技术的产能为12万片晶圆（12英寸）。
长鑫存储表示，其77%员工都是从事研发相关工作的工程师。今年5月，长鑫存储董事长兼CEO朱一明曾表示，从技术来源角度，合肥长鑫与奇梦达合作，并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件（约2.8TB数据）收归囊中。现如今已经完成了早期积累。
据了解，长鑫存储正在使用其 10G1 技术（19 nm 工艺）来制造4 Gb和8 Gb DDR4存储器芯片，目标在 2020 年第一季度将其商业化并投放市场，该技术将用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存储器。
从路线图来看，长鑫存储还规划了针对DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及LPDDR5的10G3（17 nm工艺）产品。预计CXMT 10G5工艺将使用 HKMG 和气隙位线技术，并在远期使用柱状电容器、全能栅极晶体管、以及极紫外光刻（EUVL）工艺。
此前该公司计划于2019年初开始生产DDR4内存，但新路线图已经推迟了一年。最后，该公司还计划再建两座DRAM晶圆厂。（校对/小如）
