中共中央政治局常委、国务院副总理丁薛祥8日上午在人民大会堂接见获得2025年度中华人民共和国国际科学技术合作奖的外国专家，并颁发奖章。 丁薛祥代表中国政府对获奖专家表示热烈祝贺，感谢他们为中国科技进步和创新发展作出的重要贡献，希望他们与中国科学家深化交流合作，共同攻克科技难题，推动构建人类命运共同体。颁奖结束后，丁薛祥与获奖专家集体合影。 9位外国专家获得2025年度国际科学技术合作奖。1995年正式授奖至今，共有155位外国专家、3个国际组织和1个外国组织获此殊荣。 以上来源：新华社 九位获奖外国专家简介 中华人民共和国国际科学技术合作奖是国务院设立的国家级科技奖励，授予在双边或者多边国际科...

点击上方 “红色文化网” 关注我们吧 ^-^ 退回去，不可能！ 赵 磊 一、反对无效 2026年，中国‌人形机器人（具身智能）全年整机产量有望突破10万台‌。在《2026世界人工智能大会》新闻发布会上，工业和信息化部正式确认了这条消息。 我注意到，在AI迅猛发展的当下，反对AI的声势也一浪高过一浪。 恐惧这玩意儿会骑在人类头上拉屎拉尿，78岁的AI教父杰弗里·辛顿一夜变身末日吹哨人。 担心这玩意儿不听招呼，会反客为主，学界和业界召开全球治理大会，共谋制定人机对齐（human-AI alignment）的规矩。 愤恨这玩意儿正在夺走自己的饭碗，美国青年怒砸AI。 吹口哨，无可厚非；制定规矩，很...

导语 在金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件中，不同功能区域对B掺杂工艺的需求存在显著差异化特征：源漏区域需高浓度重掺杂以降低接触电阻，沟道区域则需精准的低浓度轻掺杂。传统的离子注入工艺难以适配复杂半导体结构精细化掺杂的需求，而外延原位掺杂技术可实现薄膜生长与元素掺杂同步完成，目前pMOSFET源漏区已成熟应用高浓度硼掺杂硅锗（SiGe）技术。该技术不仅可通过晶格失配引入单轴压应变，提升空穴迁移率，还能有效规避离子注入工艺带来的晶格损伤、掺杂分布不均等缺陷。 随着DRAM存储单元向三维集成、高密度存储方向快速迭代，水平沟道垂直堆叠3D DRAM的SiGe/Si超晶格沟道结构，因具...

在人工智能、量子计算、高密度存储技术飞速迭代的当下，二维量子材料凭借原子级的超薄厚度、独特的电子结构和可调控的物理特性，已然成为支撑下一代电子器件革新的重要选择。在众多二维材料体系中，二维铁基硫族化合物因具有丰富的结构和相态、可调的化学计量比，以及由此产生的多样的物理性质而受到广泛关注。前期研究在二维硒化亚铁（FeSe）、碲化亚铁（FeTe）及相关插层化合物中发现了界面超导、二维铁磁性、拓扑表面态、配对密度波和反常磁阻等新奇性质，其在自旋电子学和量子计算中的应用也被寄予厚望。

特别说明：本文由米测技术中心原创撰写，旨在分享相关科研知识。因学识有限，难免有所疏漏和错误，请读者批判性阅读，也恳请大方之家批评指正。 编辑丨风云 研究背景 有机电子学在柔性显示、可穿戴系统和物联网领域具有巨大潜力，但目前受限于有机半导体较低的电荷迁移率。这主要源于主流溶液加工过程中，分子到形貌的演化不可控，导致产生大量形貌缺陷并破坏了长程有序性。开发一种能精准调控多尺度结构有序并实现高性能类单晶聚合物晶体的预测性通用策略是当前的迫切需求。 关键问题 目前，类单晶聚合物晶体的开发主要存在以下问题： 1、传统溶液加工中分子演化缺乏有效调控手段 现有方法多依赖经验，难以在溶液加工过程中协同控制分子...

存储器墙问题与硅基光电子技术的背景 人工智能（AI）模型的规模持续扩张，对算力与存储器频宽的需求同步攀升。现代 AI 加速器——包括 GPU、张量处理器（TPU）及各类客制 ASIC——在单颗芯片上整合了数以千计的处理单元，提供极高的运算吞吐量。然而，系统效能愈来愈受制于数据搬移的成本，而非算术运算本身。这一瓶颈通常称为「存储器墙」（Memory Wall）：每将 1 bit 数据在芯片之间或存储器层级之间移动一次，所消耗的能量往往比执行一次浮点运算高出 1 到 2 个数量级。随着 AI 模型的参数量与数据强度持续增长，突破这道墙成为当前硅芯片设计中最核心的课题之一。 存储器墙的成因涉及多个层...

接触与互连工艺对双极型集成电路的电学性能、传输速度和可靠性都有重要影响。下面介绍的泡发射极工艺既可缩小晶体管占用面积、提高器件集成密度，也有益于改善电流特性、提高器件工作频率。为提高集成电路性能，制造工艺中需尽可能减小基极与集电极的串联电阻，以及互连线的寄生分布电阻、电容。除了前面分别介绍的n+隐埋层、p+非本征基区、深 n+集电极接触区等工艺步骤外，金属硅化物接触工艺、扩散阻挡层工艺等也应用于高性能双极型集成电路制造工艺。 泡发射极工艺 由于基区电阻压降使EB结电压分布不均，发射区电流分布存在集边效应。与基极最靠近的发射区边缘处 EB结电压降最高，电流密度明显大于距离较远的中间区域。因此，为...

欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿，免费宣传成果，发布招聘广告，具体联系人：13162018291（微信同号） 研究背景 二维材料凭借原子级厚度、强光与物质相互作用及可调带隙，在光电探测、成像技术与光通信等领域展现出巨大潜力。然而，原子级厚度是一把双刃剑：单层二维材料在可见光波段的吸收率仅约5%，光吸收能力严重不足。传统上，二维光电晶体管普遍依靠光栅控诱导的陷阱效应来提升光增益与光电转换效率，但延长的载流子寿命不可避免地牺牲了响应速度，光增益与带宽之间的矛盾长期难以调和。此外，器件高效输运通常依赖较高的栅压来调控电荷分布与接触势垒，由此带来显著的漏电流与功耗问题，甚至导致器件过热、性能骤降。因此...

射频（Radio Frequency, RF）信号处理是现代无线通信、雷达感知、电子对抗和物联网的核心技术。随着5G/6G网络、认知无线电和智能感知技术的快速发展，射频通信系统正面临信道复杂、信号稠密、调制多样、设计非线性、优化成本高等突出挑战。传统基于专家经验的特征工程与电路设计方法，在复杂动态场景下效率低、泛化能力差，难以满足大规模、高实时性的工程需求。与此同时，深度学习与机器学习方法凭借其强大的非线性拟合与模式识别能力，正在逐步重塑射频研究范式。 本课程系统整合国际前沿研究成果与丰富工程实践资源，覆盖从传统机器学习算法（随机森林、SVM）到最新深度学习架构（Mamba状态空间模型、MCf...

特别说明：本文由米测技术中心原创撰写，旨在分享相关科研知识。因学识有限，难免有所疏漏和错误，请读者批判性阅读，也恳请大方之家批评指正。 编辑丨风云 研究背景 随着微电子技术的持续微缩，传统体相半导体如硅面临短沟道效应的挑战。二维范德华分层半导体因其原子级厚度和无悬空键表面，成为亚5纳米逻辑技术节点的理想候选材料。实现二维互补金属氧化物半导体（CMOS）电路需要高质量的n型和p型二维半导体晶圆级单晶。 关键问题 目前，二维半导体晶圆级单晶的开发主要存在以下问题： 1、P型二维半导体晶圆级单晶生长难题 现有p型二维半导体常缺乏高迁移率或稳定性。新型(MoSi2N4)具有独特七原子层结构，但此前仅能...

单片微波集成电路Monolithic microwave integrated circuits (MMICs)是一项支撑5G及未来通信标准的新兴技术，有望在未来几年内大幅改善电信通信。单片微波集成电路MMIC，采用专用半导体来满足5G标准及更高标准的性能需求；然而，将高频开关集成到这些平台中，在面积和成本方面要求极高，同时也成为性能瓶颈。忆阻式射频开关因其制造简便且器件级电学性能优异，从而成为一种颇具吸引力的替代方案，但该方案在单片微波集成电路MMIC电路实现中，尚未得到真正应用。 近日，新加坡国立大学Mario Lanza副教授、Sebastian Pazos等在Nature上发文，首次在...

文/窦文雪 编辑/子夜 过去几年，资本的热钱集中在AI相关的概念身上，AI芯片厂商们，也上演了一场“造富神话”。 海外企业中，英伟达、AMD、博通市值屡创新高；在国内，寒武纪成为科创板史上首只市值突破万亿元的个股；海光信息市值一度站上7624亿元；2025年底上市的摩尔线程与沐曦股份，股价上市首日均上涨超过4倍。 资本用脚投票的逻辑并不复杂。作为整条产业链上的“水电煤”，大模型的训练与推理都高度依赖高性能计算芯片，英伟达等芯片厂商因此订单大增。 而随着AI芯片的国产替代进程加速，国产AI芯片产品以性价比、集群化以及本土生态优势逐渐崭露头角，相关厂商身上的想象力更丰富，资本价值也跟着水涨船高。 ...

7月8日，备受瞩目的国家科学技术奖励大会在北京隆重举行，BOE（京东方）凭借领先的技术研发实力，在众多创新科技成果中脱颖而出，面向智能显示的先进氧化物技术研究及产业化应用，荣获2025年度国家科学技术进步奖二等奖。该奖项的获得，不仅是对BOE（京东方）在显示技术领域长期深耕与持续创新的高度肯定，更代表着我国氧化物显示技术实现全球领跑，充分展现了 BOE（京东方）以持续创新与硬核技术优势，引领行业变革、定义全球显示产业全新发展格局的龙头实力与行业担当。 近年来，我国显示技术高速发展，市场对屏幕高分辨率、低功耗、高稳定性的需求持续攀升。在追求更高性能、更低功耗的新型显示领域，仍有许多关键技术难题...

大家好，我是写代码的篮球球痴。 剑桥科技。今天写写这家公司的创始人。 这人叫黄钢，Gerald G Wong，今年 72 岁，MIT 毕业，给公司起名「剑桥」。 MIT 的人给自己的公司起名叫剑桥，这事儿最狠的一点就在这——放后面再说。 —— 黄钢是 1953 年生人，北京长大的。年轻时在陕北下乡插队，后来去了美国，考上 MIT，拿了电气工程和计算机科学双学位。 从 MIT 出来后，他进了AT&T 贝尔实验室，后来跟着朗讯（Lucent）分拆出来，一干就是 15 年。做到什么位置？朗讯光网络事业部全球副总裁，分管北美产品研发和全球市场，同时担任中国研发中心总裁。 ——贝尔实验室是什么地方？ 晶...

[Image][Image][Image][Image]图：AI生成，非真实英特尔 XBM 专利舍弃 HBM 硅中介层：后段晶体管 DRAM 搭配 UCIe，打造高性价比 AI 内存英特尔一份名为跨批次内存（XBM）的全新高带宽内存架构专利已于 2026 年 7 月 2 日公开，......

器件通过AEC-Q102认证，CMTI达到业内先进的40 kV/μS，最大重复峰值隔离电压达707 Vpeak美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2026年7月9日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型3.6 mm窄体SOP-5封装车规级1 MBd高速光耦---VOMHA43A。Vishay Semiconductors VOMHA43A相对漏电起痕指数为400，共模瞬态抗扰度（CMTI）不低于 40 kV/μS 达到业内先进水平，可提高信号传输质量并节省空间，适用于额定隔离峰值电压（VIORM...

显示技术，作为构建信息传递与人机交互核心界面的关键，其演进历程深刻重塑视觉体验的边界，并持续引领着电子终端与信息产业的未来格局。从阴极射线管的电子束扫描成像，到液晶显示的偏振光精密调制，再到有机发光二极管与MicroLED所代表的电致发光与微纳光学的深度融合，光学技术的每一次飞跃，都是驱动显示产业变革的根本性力量。这一演进过程本质上是人类不断探索与重构光与物质、光与视觉交互边界的生动实践。当前，我国作为全球显示产业的制造与创新重镇，正处在从规模领先向技术引领跨越的关键时期。纳米光学推动发光材料实现超广色域，微纳超表面助力增强现实近眼显示器件迈向极致轻薄化，光场调控与计算全息技术则为真三维（3D...

7月7日，荷兰外贸大臣带队，携17家本土龙头企业高管组团到访北京。这个阵容的含金量有多高呢？这是整整八年来，荷兰派出的最高规格经贸访华团，排场和分量拉满。 但明眼人都清楚，这场声势浩大的访华行程，表面是谈双边贸易合作，核心目的只有一个：搞定僵持近一年的安世半导体纠纷，给这场拉扯许久的芯片产业争端，找一个收尾的出路。 这场持续十个月的产业拉锯，早已不是简单的企业纠纷。从当初荷兰单方面出手干预，到如今主动来华寻求和解，态度发生180度大转弯，背后没有任何情面可言，全是实打实的产业压力和市场利弊权衡。荷兰如今主动服软，本质是扛不住持续僵持带来的连锁损失，不得不务实妥协。 很多人对安世半导体并不熟悉，...

图：AI生成，非真实 英特尔 XBM 专利舍弃 HBM 硅中介层：后段晶体管 DRAM 搭配 UCIe，打造高性价比 AI 内存 英特尔一份名为跨批次内存（XBM）的全新高带宽内存架构专利已于 2026 年 7 月 2 日公开，旨在解决当前依赖中介层的 HBM 方案存在的封装与良率瓶颈。核心创新点：将 DRAM 晶体管集成至芯片后道制程（BEOL）层，彻底取消成本高昂的硅中介层；同时采用速率 32 吉传输 / 秒的通用芯粒高速互联（UCIe）串行链路，替代 HBM 的超宽并行物理层（PHY）。英特尔该架构内存裸片最高可堆叠 16 层，单颗裸片容量约 1.5GB；基底裸片搭载内置自修复（BISR...

说明：仅统计拥有自有晶圆制造产线（Fab） 企业，不含单纯设计、封测、硅片材料厂；标注晶圆尺寸、核心制程、主营产品、建设状态。 无锡 江苏晶圆制造第一重镇 存储+特色功率双龙头 SK 海力士（无锡） 尺寸：12 英寸 制程：1a、1b、1c（DRAM 先进存储工艺） 产能：月产约 17 万片，全球最大 DRAM 制造基地 产品：DDR5、LPDDR5X、服务器内存芯片 华虹半导体（无锡） 尺寸：12 英寸（一 / 二 / 三期）、8 英寸 制程：40nm–0.35μm 特色工艺 产能：一期月产 9.45 万片，二期 8.3 万片投产，三期在建新增 5.5 万片 产品：车规 IGBT、MCU、功...