2026年3月24日消息，全球半导体封装与互连技术领导者Kulicke & Soffa（简称K&S，中文名库力索法）3月25-27日亮相SEMICON China 2026，携全产品矩阵参展，涵盖全球首发新品及升级解决方案。 同日下午，K&S在淳大万丽酒店举办媒体沟通会，全球销售与供应链高级副总裁黄文斌等多位高管出席，全面分享公司业务布局、核心技术优势及市场发展观点，各事业部同步发布核心技术与新品，Q&A环节进一步明确技术路线与市场策略。 1、深耕封装互连技术，库力索法（K&S）SEMICON China 2026多款产品发布 K&S相关负责人黄文斌表示，当前全球AI需求爆发呈现不均衡态势，而...

// 热点头条 // 1. Anthropic：遭遇一场“史诗级”代码泄露事件，其中旗下产品Claude Code的完整源代码，因为一个打包层面的低级失误被公之于众，涉及逾51万行TypeScript代码、40余个工具模块、数项尚未发布的核心功能。此次泄露虽未波及Claude核心模型权重或用户数据，但进一步引发外界对Anthropic安全成熟度的质疑。 2. OpenAI：完成一轮1220亿美元的融资，创硅谷历史之最，估值达8520亿美元。公司预计将在年底前进行重磅IPO。作为此次融资一部分，OpenAI通过银行从高净值投资者处筹集逾30亿美元。公司表示，股票将被纳入由看好科技股的凯西·伍德...

受中东地区持续危机的影响，此前一路飙升的内存半导体价格在过去一个月内转为下跌趋势，价格跌幅超过30%，甚至在主要分销渠道出现了恐慌性抛售的迹象。然而，业内人士认为，由于人工智能（AI）数据中心的短期需求依然强劲，此次危机对整体市场状况的影响有限。 据DRAMeXchange 3月31日数据显示，通用型PC DRAM产品DDR4 16Gb现货价格在3月底为74.3美元，较两周前（77.2美元）下跌3.8%，较一个月前（79.4美元）下跌6.4%。主流DDR5 16Gb现货价格也跌至37.5美元，较两周前（39.5美元）下跌5.1%。 DRAM现货价格已全面进入回调阶段，其价格在2月底美国突袭伊朗...

近期，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司发布2025年经审计全年业绩：实现销售收入12.13亿元人民币，同比增长46.3%；综合毛利率由-19.5%转正至7.3%，提升26.8个百分点；调整后EBITDA首次转亏为盈。业绩改善主要源于规模效应显现、产品结构优化及成本管控见效。 #英诺赛科 表示，公司成功将氮化镓应用从消费电子拓展至AI数据中心、新能源汽车及机器人关节电机三大领域，完成从概念到量产的产业化进程。 AI及数据中心领域氮化镓芯片收入6319万元，同比增长50.20%，公司进入英伟达等头部客户800V HVDC供应体系；车规级芯片出货量同比增长105%，收入5790万元，并与联合汽车电子...

3月31日，据上交所官网显示，长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO中止！ 据悉，本次IPO中止原因系发行上市申请文件中记载的财务资料已过有效期，需要补充提交。 招股书显示，长鑫科技专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售。公司现已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。根据Omdia的数据，按照产能和出货量统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。 此次IPO，公司拟募资295...

2026 年 3 月 31 日，上海证券交易所正式发布上证科审〔2026〕100 号文件，因上海芯密科技股份有限公司（下称 “芯密科技”）及保荐机构国金证券股份有限公司主动提交撤回发行上市申请文件，上交所依法终止其首次公开发行股票并在科创板上市的审核流程。 作为国内半导体级全氟醚橡胶密封材料领域的头部企业，芯密科技本次上市进程调整，是企业基于自身发展节奏、行业环境与长期资本市场规划做出的市场化主动选择，属于 A 股 IPO 市场的常态化操作，既不存在监管端的实质性否决情形，也不改变其在国产半导体关键零部件领域的技术积累与产业价值。 本次 IPO 终止的核心性质：规则框架内的市场化主动操作 从监...

3月26日，浙江芯植微电子科技有限公司的晶圆级封装测试项目成功完成土地摘牌，这一节点标志着该项目正式落地舟山，成为当地半导体产业版图中的新成员。土地摘牌是项目从规划到落地的关键一步，为后续开工建设奠定了基础。 该项目由舟山市投促中心首次对接后推荐至定海区，是舟山市半导体领域重点招引的产业项目。项目一期计划投资约3亿元，用地面积达23.7亩，聚焦晶圆级封装测试环节，瞄准集成电路产业链中的关键制造节点。 按照规划，项目建成投产后，将具备年处理36万片DDIC晶圆的测试与封装能力，同时可实现12万片/年的DDR测试产能。这些产能将进一步强化舟山在集成电路封装测试领域的硬件基础，提升区域产业配套能力。...

近日，安徽瑞晶半导体有限公司厂房奠基仪式在芜湖高新区顺利举行，这一标志性事件宣告瑞晶半导体芜湖项目正式开工建设。奠基现场汇聚了项目投资方代表、合作客户、配套厂商以及企业员工等多方力量，共同见证这一将为区域半导体产业升级注入强劲动力的重要时刻。 该项目在产能规划上颇具规模，月产能目标达到4万片。其核心业务聚焦于半导体分立器件和集成电路芯片制造领域，致力于打通从晶圆制造到芯片封装的关键产业环节，成为瑞晶半导体在半导体细分领域持续深耕、拓展产业全国布局的关键落子。 瑞晶半导体芜湖项目的开工，对芜湖高新区的半导体产业链完善具有重要意义。通过补全产业链中的关键环节，项目将助力高新区进一步梳理和强化产业生...

据韩媒报道，近日，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂已成功完成工艺制程升级，实现了236层堆叠的第八代V-NAND(V8 NAND)的量产。 据悉，西安晶圆厂是三星在韩国本土外重要的半导体生产基地。本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6(128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。 此次量产V8 NAND后，三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。 SEMI China官方信息发布平台 1.SEMI China官方微信公众号 SEMI SEMI连接...

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SEMICON China 2026 2026年3月25日—27日，半导体行业盛会SEMICON China 2026在上海新国际博览中心盛大启幕。展会汇聚产业链上下游企业与技术专家，聚焦AI智能应用、汽车芯片、先进封装等产业热点，成为全球半导体技术创新与产业合作的重要平台。东方晶源重磅参展，携电子束量检测系列硬件产品与AI赋能的EDA软件平台惊艳亮相，全面展示在电子束量检测、计算光刻、良率管理等领域的最新技术成果与解决方案，以软硬件协同的创新实力为半导体产业高质量发展注入核心动能。 硬件突破 四大电子束量检测产品线全面升级 在半导体芯片制造向三维纵深快速发展的当下，从GAA、CFET到3D ...

2026年3月31日，日本存储芯片厂商铠侠（Kioxia）向客户发布通知，将逐步退出传统浮栅式2D NAND及第三代BiCS FLASH产品线。停产范围涵盖部分2D NAND及第三代BiCS FLASH，最后客户预测订单截止日为2026年9月30日，最终出货截止日为2028年12月31日。此举旨在优化产品结构，聚焦高附加值3D NAND技术路线。此前，铠侠已宣布停产小容量TSOP封装产品。 免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。...

—论坛信息— 名称：第3届光掩模与光刻胶技术论坛 时间：2026年4月24日 地点：上海 主办方：亚化咨询 —会议背景— 随着半导体工艺节点向2nm及以下推进，下一代光刻技术已成为行业焦点。主要方向包括高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻、纳米压印光刻、电子束光刻、定向自组装（DSA）和X射线光刻等。这些技术旨在提升分辨率、降低成本并提高产量。2026年，高NA EUV已进入高容量制造阶段，而NIL和X射线光刻作为潜在颠覆者，正加速研发。 进入2026年，中国对高端光掩模的需求持续强劲增长，但技术研发、生产能力及产业链整合方面仍面临高成本、技术复杂性和供应链依赖等诸多挑战。全球半导体...

近日，“内存条价格出现断崖式下跌”的话题登上热搜，有消息称，主流16GB DDR5（DRAM行业成熟工艺制程的最新产品）内存条从2025年12月的1000元高位跌至700元左右；32GB套装更在一个月内缩水27%，从3000元跌到2200元。 从渠道端来看，价格松动有所体现。在二手电商平台闲鱼，DDR4近7日的成交均价较前一周下跌80元，报360元；DDR5成交均价则小幅回落20元至1090元。主流电商平台方面，京东平台上的金士顿16GB DDR4的内存价格为849元起，威刚16GB DDR5的价格为1400元；美商海盗船16GB DDR5的价格为1429元。16GB DDR5内存条在今年3月...

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓ 世界半导体论坛 World Semiconductor Forum 世界半导体论坛，半导体、电子相关行业资讯、资源服务平台。 2篇原创内容 公众号 4月1日消息，据报道，铠侠已通知客户，计划停止生产其2D NAND和第三代BiCS 3D NAND闪存。值得关注的是，铠侠此次将终结平面NAND闪存的生产。 平面NAND闪存是3D NAND闪存的前身，自20世纪80年代以来一直在生产。铠侠正在停产一系列传统NAND产品，包括基于32nm（SLC，自2009年开始量产）、24nm（MLC，自201...

半导体前线 汇聚全球半导体最新动态 446篇原创内容 公众号 3月31日，NAND Flash大厂铠侠电子再度向客户发出通知，宣布将于2028年停止生产部分浮栅式（Floating Gate）和 BiCS Flash Gen3 产品。具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS Flash Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。 铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30 日，最后出货时间为2028年12月31日。这意味着2029年时，铠侠将正式退出2D NAND 市场。 而在3月19日，铠侠电子...

关于PVD十种沉积技术 薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。 薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气...

快科技4月1日消息，据媒体报道，存储芯片厂商铠侠（Kioxia）31日再次向客户发布最新停产通知，宣布部分传统浮栅式（FloatingGate）2D NAND以及第三代BiCSFLASH产品将逐步退出市场。 具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS Flash Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。 铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30 日，最后出货时间为2028年12月31日。这意味着2029年时，铠侠将正式退出2D NAND 市场。 值得注意的是，3月16日，铠侠就曾向客户发布停产通...

今日热门供应/NEWS 向上滑动阅览 1 深圳豪杰创新电子有限公司 服务供应：本公司是一家专业的闪存产品供应商，提供OEM/ODM服务，长期供应固态硬盘SSD、移动固态硬盘PSSD、U盘等全系列存储产品 联系方式：陈先生 16620842046 2 深圳市富芯通科技有限公司 近期热门供应： NGFF：128GB- 2T NVME3.0: 256GB -1TB SATA：128GB -2TB MSATA：64GB-256GB NVME4.0:512GB -4TB EMS颗粒 1T 配套服务：提供存储产品 OEM/ODM、三年质保及完善售后技术支持 联系方式：曾先生18679071072 3 广东...

集成电路技术自1958年问世后发展极为迅速。集成电路进步的首要标志表现在,集成于一体的晶体管数量越来越多。20世纪60年代初期一块集成电路芯片中的晶体管数仅为几个至几十个，构成简单功能电路。现在数以亿计的晶体管已可集成在一个硅芯片内,构成功能复杂的电子系统。外形尺寸可仅以毫米、厘米为计的集成电路芯片，却要以越来越大的词语来形容和命名。从初期的小规模集成电路(SSI)和中规模集成电路(MSI),发展到大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)和甚大规模集成电路(ULSI)。对于集成电路的升级换代，早期曾有人以芯片集成器件数2倍率增长作为标志[13],也有人以10的平方倍率变化区分[1...