在AI算力需求持续爆发、先进封装从晶圆级向面板级快速演进的关键阶段，电镀技术正从“配套工艺”加速跃升为决定三维芯片集成能力上限的核心环节。在2026集微大会先进封装与测试技术创新峰会上，盛美半导体设备（上海）股份有限公司工艺副总裁贾照伟发表了题为《三维芯片集成领域电镀技术的挑战和机遇》主题演讲，围绕AI时代先进封装发展趋势、电镀与湿法工艺面临的关键挑战，以及盛美上海在高深宽比TSV、面板级先进封装与负压清洗等方向的技术突破进行了系统分享。
盛美上海工艺副总裁贾照伟发表演讲
AI与HBM驱动三维集成升级，电镀成为关键核心工艺
贾照伟表示，当前先进封装的发展核心已经不仅是“封装”本身，而是围绕芯片互联技术展开。随着AI芯片对于带宽、算力和能效要求持续提升，从C4 bump、Cu Pillar，到Fine Pitch RDL、TSV、Micro bump，再到HBM中的Hybrid Bonding，几乎所有关键互联结构都离不开电镀工艺支撑。“芯片互联尺寸正在从数百微米一直延伸到纳米级尺度，结构越来越复杂，对工艺能力的要求也越来越高。”他表示。
盛美上海工艺副总裁贾照伟
贾照伟指出，HBM持续迭代正在进一步推动高深宽比TSV、微凸点以及高均匀性铜填充需求快速增长，而AI大芯片的发展，则正在推动封装形式从晶圆级向面板级演进。相比传统圆形晶圆，方形面板在大尺寸芯片制造中拥有更高利用率与成本优势，目前310mm、510mm甚至600mm级面板已逐渐成为产业重点方向。
但与此同时，面板级先进封装也给设备与工艺带来了新的挑战。贾照伟提到，大尺寸面板翘曲问题日益突出，部分翘曲度甚至达到±10毫米；同时，随着RDL线宽不断缩小、TSV深宽比持续增加，电镀液深孔浸润、片内均匀性控制以及不同模块之间的交叉污染问题，都成为行业必须解决的重要难题。
贾照伟指出，未来先进封装的竞争，本质上将是工艺能力、设备能力与系统协同能力的综合竞争，而电镀技术正成为决定先进封装量产能力的重要核心环节。
聚焦高深宽比与Chiplet清洗难题，盛美持续推进差异化创新
围绕三维芯片集成带来的技术挑战，盛美上海近年来持续加大在电镀与湿法工艺领域的研发投入，形成了一系列差异化核心技术。
在高深宽比TSV领域，当前行业需求已逐步提升至10:1至15:1，未来甚至将突破20:1。针对无空穴铜填充、高均匀性控制等挑战，盛美上海开发了多阳极局部电镀技术，通过毫秒级电流响应与同步电场控制，实现纳米级厚度调节，并有效改善晶圆及面板边缘区域的电镀均匀性。
演讲中，贾照伟重点介绍了公司Multi-Anode多阳极技术。他表示，传统电镀在方形面板四角及四边区域容易出现膜厚均匀性问题，而盛美上海通过多阳极同步电场控制技术，可形成与面板同步旋转的方形电场，实现更优的面板边缘与角落的膜厚均匀性控制。
除了电镀本身，Chiplet先进封装中的清洗问题同样成为行业关注焦点。
贾照伟表示，随着Chiplet Pitch不断缩小，传统高压喷淋清洗已难以彻底去除芯片间窄缝中的助焊剂残留。“当间距缩小到一定程度后，液体会受到表面张力影响，很难进入内部缝隙。”针对这一行业痛点，盛美上海开发了负压真空清洗技术，通过真空环境切换改善液体浸润能力，使清洗液能够进入更小间隙内部，从而显著提升助焊剂去除效率。
目前，盛美上海面板级先进封装相关设备已逐步进入客户验证阶段，包括面板级电镀设备、负压清洗设备以及边缘湿法刻蚀设备等。其中，面板级水平电镀设备采用专利化水平电镀腔体设计，并结合多阳极同步控制技术，有效降低交叉污染并提升面板均匀性。
从湿法工艺专家到平台化设备企业，盛美加速布局未来先进制造
演讲最后，贾照伟还系统介绍了盛美上海近年来的平台化战略布局。
作为一家起源于硅谷、成长于上海张江的半导体设备企业，盛美上海长期深耕清洗、电镀等核心湿法工艺领域，并逐步向先进封装、干法设备及下一代工艺延伸。
今年3月，盛美上海正式发布“盛美芯盘”八大行星系列，以客户需求为核心，构建覆盖清洗、电镀、涂胶显影、炉管、PECVD、先进封装及面板级封装等关键工艺的平台化产品矩阵。其中，“金星”系列聚焦电镀设备，“地球”系列覆盖清洗设备，“木星”系列面向晶圆级先进封装，“天王星”系列则重点布局面板级先进封装。
贾照伟表示，盛美上海始终坚持“技术差异化、产品平台化、客户全球化”战略，通过持续创新，构建自主核心知识产权体系。目前，公司已在电镀相关领域形成覆盖电镀腔体、夹持系统、多阳极控制、软件算法及晶圆传输等多个方向的核心专利布局。
面对AI时代持续演进的先进封装需求，盛美上海正围绕高深宽比互连、面板级封装、先进清洗与新型工艺持续推进技术创新。贾照伟表示，盛美上海将继续围绕客户需求进行探索，与产业链伙伴共同推动三维芯片集成与先进封装技术持续升级。
