6月25日，IBM宣布在半导体领域取得革命性突破，正式推出全球首款“亚纳米”（sub-1nm）芯片工艺技术。该技术采用自研的“三维垂直堆叠”（NanoStack）晶体管架构，直接跨越至0.7纳米（7埃米）节点，标志着芯片制程正式迈入埃米时代。
据介绍，单颗芯片集成近千亿晶体管，密度翻倍；性能跃升50%的同时，能耗却可骤降70%。对于当前“算力饥渴”的AI大模型而言，这意味着同样功耗下可处理更复杂的参数，或同等算力下大幅降低数据中心电费。
技术层面，IBM通过背面供电和High NA EUV光刻配套工艺，解决了三维堆叠的散热与信号干扰难题。更关键的是，新材料与全新蚀刻沉积工艺的运用，证明了在原子尺度上，芯片性能仍有可观的提升空间。
