8月21日晚间，东芯股份发布了2026年半年度报告。2026年上半年，公司实现营业收入14.97亿元，同比增长高达336.44%；归母净利润为6.59亿元，同比实现大幅扭亏为盈。受益于全球AI算力需求爆发，海外存储原厂加速退出利基型市场，供给端收缩，利基型存储芯片迎来供不应求的市场格局。在此背景下，东芯股份持续强化研发投入，深化“存、算、联”一体化发展战略，同时前瞻性布局GPU算力与Wi-Fi7通信芯片，有力推动我国存储产业发展，并助力构建多元化技术生态的形成。
利基存储供需趋紧，东芯股份营收稳步增长
2025年以来，全球存储芯片行业迎来强劲复苏。AI算力军备竞赛愈演愈烈，国内外头部科技厂商大幅增加资本支出加码AI投入，直接拉动了存储芯片的需求。国际巨头自2025年起逐步将产能从DDR4转向DDR5、LPDDR5及HBM高带宽内存，导致DDR4供应缺口扩大，中小容量利基型存储芯片供给持续收紧。
根据Yole预测，全球存储芯片市场规模有望在2027年达到2630亿美元。利基型存储芯片作为不同于大宗存储的细分赛道，涵盖SLC NAND Flash、NOR Flash、利基型DRAM等产品，广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域，其供需格局与大宗存储既有联动又有差异。当前，随着海外厂商战略退出和下游需求回暖，利基型存储同样出现供不应求的局面，市场价格持续回升。
在此行业背景下，东芯股份2026年上半年实现营业收入14.97亿元，同比增长高达336.44%。公司毛利率达到67.66%，相比去年同期增长高达48.90个百分点，反映了产品结构优化和价格回升的积极影响。从利润端来看，公司利润总额7.51亿元，同比增加8.80亿元；归母净利润6.59亿元，同比增加7.70亿元；扣非净利润6.36亿元，同比增加7.63亿元；均实现扭亏为盈。
全产品线协同发力，多领域应用深度拓展
东芯股份主营业务围绕利基型存储芯片设计领域，主要产品涵盖非易失性存储芯片NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP，形成了较为完整的存储芯片产品矩阵，是目前中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司。
在NAND Flash领域，公司聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，制程工艺持续演进至1xnm先进水平。产品存储容量覆盖512Mb至16Gb，支持SPI或PPI类型接口，并可选配3.3V/1.8V电压规格，能够灵活满足不同应用领域的差异化需求。公司SPI NAND Flash采用业内领先的单芯片集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块高度集成，有效缩减芯片面积、降低产品成本，并通过合理的冗余管理策略提升了产品可靠性。在可靠性方面公司产品单颗芯片可擦写次数超过10万次，并能在-40℃～125℃的极端环境下保持数据有效性长达10年。产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。
在NOR Flash领域，公司专注大容量、低功耗SPI NOR Flash的设计与研发，采用成熟的ETOX工艺架构。产品存储容量覆盖64Mb至 2Gb，支持多种数据传输模式，广泛应用于网络通信、消费电子及汽车电子等领域。在性能与成本控制方面，公司产品时钟频率可高达166Mhz，支持DTR访问模式，配合优化的裸片面积，在数据访问速率、功耗及成本效益上具备了较强的竞争力。此外，ECC、CRC及高级扇区保护模式，有效提升了数据可靠性与访问安全性。目前，公司NOR Flash产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。
在DRAM领域，公司布局了利基型DRAM产品，涵盖标准型与低功耗型两大系列。其中，公司研发的DDR3(L)系列支持双倍数据速率传输，具备高带宽、低延时特性，广泛应用于通讯设备、移动终端等领域；针对移动互联网及物联网的低功耗需求，公司自主研发的 LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最高时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等领域。
在MCP领域，公司的NAND MCP产品集成了自主研发的低功耗SLC NAND Flash与低功耗DRAM，广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等终端产品。MCP产品规格丰富，DRAM类型涵盖LPDDR1/2/4X，可为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP产品通过集成技术，有效简化了系统走线设计，显著节省 PCB 布板空间，在提升产品稳定性与集成度的同时，降低了整体系统成本，特别适用于对空间要求严苛的小型化电子设备。
从应用领域来看，东芯股份产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域。在车规级存储领域，公司SLC NAND Flash、NOR Flash及MCP三大品类的车规产品阵容持续扩充，更多型号顺利通过AEC-Q100验证。报告期内，公司持续在多款车型中进行车规产品的量产交付，并进一步推进整车厂的白名单导入，加速推进更多海内外Tier1厂商的导入与销售落地。相关产品已成功应用于通信及远程控制系统、激光雷达、机器视觉、电池BMS系统及智慧座舱等汽车电子核心系统。数据显示，2028年全球汽车存储芯片市场规模将达到102.5亿美元，随着汽车电子化、智能化和网联化的进一步推动，存储芯片在汽车中的应用场景将更加广泛。
深耕存储技术研发，“存、算、联”一体化布局渐入佳境
产品与市场应用高成长的基础是东芯股份始终坚持的高技术研发投入，2026年上半年研发投入达到1.38 亿元，占当期营业收入的 9.21%，研发费用总额相比上年同期增长30.81%。持续高强度的研发投入为技术领先与产品升级提供了坚实保障。
在存储技术布局方面，东芯股份持续推进各产品线的技术迭代。NAND Flash领域，产品制程覆盖3xnm-2xnm-1xnm，产品容量覆盖512Mb-16Gb，内置ECC模块，具备10万次擦写寿命及高耐久、宽温稳定运行特性。在NOR Flash领域，公司持续推进48nm、55nm制程下64Mb～2Gb中高容量的NOR Flash产品的研发，产品广泛覆盖可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子、端侧AI等应用领域。在DRAM 领域，公司已实现DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X、PSRAM等产品的量产，并持续进行LPDDR4X、DDR4等新产品研发布局。在MCP领域，公司目前已可提供4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等多种组合的MCP产品，主要应用于5G通讯模块、车载模块等领域。截至2026年上半年，公司拥有境内外有效专利123项、软件著作权18项、集成电路布图设计权84项、注册商标18项，构建了较为完善的知识产权体系。
更为关键的是，东芯股份深化“存、算、联”一体化发展体系，前瞻性布局算力与通信领域。在“存”的方面，公司以NAND Flash、NOR Flash、DRAM及MCP四大产品线为核心，覆盖非易失性和易失性存储芯片全品类，为客户提供一站式存储解决方案。在“算”的方面，公司于2024年以自有资金2亿元战略投资砺算科技（上海）有限公司，2025年追加投资约2.11亿元，目前持有砺算科技35.87%的股权。砺算科技专注于多层次图形渲染GPU芯片的研发设计。继首款自研GPU芯片G100完成流片、制造及封装并推出专业级与消费级显卡后，今年上半年，砺算科技重点围绕产品生态完善、量产工艺优化及市场化导入开展工作。在“联”的方面，公司通过控股子公司亿芯通感持续推进Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计。报告期内，公司在前期完成原型机样片测试的基础上，持续深化首款无线传输芯片的架构优化与系统级方案打磨。目前主要核心模块已完成实验室验证，测试结果符合预期，核心性能指标已满足Wi-Fi7 标准要求。公司正全力推进系统级验证与流片进程，并同步筹备后续的客户送样与导入工作。
在人才队伍建设方面，东芯股份高度重视梯队化人才培养。截至2026年上半年，公司拥有研发与技术人员216人，占公司总人数的63.53%，其中本科及以上学历占比达98.15%。此外，公司通过员工持股平台东芯科创将核心骨干与公司发展深度绑定，有效激发了团队的创新活力和归属感。
目前，东芯股份在利基型存储芯片领域已建立起全品类产品优势，“存、算、联”一体化战略稳步推进。随着存储行业上行周期的持续深化，以及车规级产品、GPU芯片、Wi-Fi7通信芯片等新业务的逐步开拓与落地，公司有望在国产芯片产业中占据更加重要的地位。在当前全球半导体产业链重构和国产替代加速的大背景下，东芯股份的技术积累和战略布局，为其长期发展奠定了坚实基础。
