2026年09月10日，深圳长城开发科技股份有限公司发布《关于子公司拟扩大高端存储芯片封测产能的公告》。
本次扩产项目实施主体为深科技全资子公司沛顿科技（深圳）有限公司，该公司成立于2004年7月2日，注册资本17.48亿元，主营业务为高端存储芯片（DRAM、NAND FLASH）封装和测试服务。项目总投资18.5亿元，旨在把握AI产业爆发式增长带来的先进封装发展机遇，满足战略客户需求，突破先进封装关键核心技术和现有产能瓶颈。
项目分为两部分：一是投资12.2亿元新设全资子公司深圳沛顿半导体封测有限公司建设新厂房，实施地点位于深圳市宝安区新桥街道，资金来源为52.5%自筹、47.5%借款或银行贷款，建成后可承载传统封测9万片/月及2.5D先进封装1万片/月产能，税前投资回收期12.01年；二是投资6.3亿元建设2.5D/3DS先进封装研发线，由深圳沛顿实施，资金来源为自筹，建成达产后预计新增2.5D/3DS先进封装产能各100片/月，该项目为战略性投资，不产生直接经济效益，效益主要体现为技术研发核心竞争力提升。两个项目建设周期均为2028年12月建成。
2026年9月9日，深科技第十届董事会第二十四次会议全票通过本次项目相关议案，根据相关规定，本次交易在董事会决策范围内，无需提交股东会批准，不构成关联交易，也不构成重大资产重组。
深科技表示，本次项目属于主营业务范畴，公司已在生产、技术、管理和市场等方面积累成熟经验，项目实施将进一步丰富产品结构、扩大生产规模、提升盈利水平，与现有主业形成协同效应，增强公司在高端封测领域的核心竞争力和市场份额。
公告同时提示风险，本次项目回报周期较长，若受行业周期不利影响，存储市场下行将导致设备稼动率下滑、固定资产折旧加大，盈利水平承压，投资回收期或延长；同时项目存在受宏观经济、行业政策、市场环境及不可抗力因素影响的风险，可能出现项目延期、实施不及预期等情况，公司将采取相关管理措施加强风险管控。
