夏普等展出128Kbit的RRAM芯片
夏普开发出了容量128Kbit的RRAM(Resistance
RAM)芯片。在日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)设于纳米技术相关展会“nano tech
2010(国际纳米科技综合展,2月17日~19日)”展区的一个展位上,夏普展示了制作这种RRAM的8英寸晶圆及芯片布局。据介绍,这是在NEDO的
支持下,由夏普、爱发科、日本产业技术综合研究所及大阪大学等推进的共同研究成果。
夏普从2002年前后开始陆续发布了多项RRAM相关的研究。
此次展出的RRAM的8英寸晶圆是2009年11月刚刚制成的。RRAM基于过渡金属钴(Co)的氧化物。芯片尺寸约为5mm×4mm,采用标准 CMOS技术制造,数据写入电路及读取电路等也集成在芯片上。据介绍,存储单元的写入及读取动作已获得确认。
夏普预定在2010年5月于首尔举行的学会“International Memory Workshop 2010”上发布开发品的详情。(记者:野泽 哲生)
夏普从2002年前后开始陆续发布了多项RRAM相关的研究。
此次展出的RRAM的8英寸晶圆是2009年11月刚刚制成的。RRAM基于过渡金属钴(Co)的氧化物。芯片尺寸约为5mm×4mm,采用标准 CMOS技术制造,数据写入电路及读取电路等也集成在芯片上。据介绍,存储单元的写入及读取动作已获得确认。
夏普预定在2010年5月于首尔举行的学会“International Memory Workshop 2010”上发布开发品的详情。(记者:野泽 哲生)
来源:技术在线
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