美光反击大陆挖角 在台湾提告百人

内存大厂美商美光科技（Micron）出重手反击陆厂挖角行动，上月配合台湾检调单位，针对稍早前并购的华亚科及瑞晶科技关键制程和研发人员跳槽至对岸，或协助大陆厂进行DRAM研发，展开大规模搜索，并限制相关人员出境，估计有上百人遭到约谈及搜索，在业界掀起极大震撼。

美光在去年底曾寄存证信函给大批从美光阵营跳槽至陆厂，或协助大陆进行研发的联盟厂商，此次又正式透过检调单位协助，诉诸法律行动，提告百人，频有动作意在防止相关营业和技术机密遭窃取。

美光昨（4）日证实确已向检调单位提出重要信息遭盗用，并配合检调单位进行调查，但因进入司法调查程序，对到底有多少人遭到调查，目前暂无法对外提供。

但紫光集团澄清，目前挖角前华亚科的员工多是建厂相关事务人员，紫光集团决定朝自主研发DRAM、储存型闪存（NAND Flash）等，目前重心先投入3D NAND Flash研发。

消息人士透露，这波遭到美光反制，透过司法途径对从美光并购后的华亚科和瑞晶员工展开搜索行动，应是已掌握相关人员窃取营业和技术数据跳槽至大陆公司或协助大陆DRAM研发。

遭到搜索的相关人员主要集中在之前的华亚科员工。 据了解，在美光提出并购华亚科全数股权后，前后已有近200位员工跳槽至大陆合肥长鑫、紫光集团和福建晋华等公司，主要原因系大陆相关发展DRAM公司祭出比台湾二至三倍高薪，全力挖角。

稍早包括三星、SK海力士（SK Hynix）也同样寄出存证信函给跳遭至陆厂的员工，不过因主要成员多数来自台厂，且后续挖角行动不断，让美光感到事态严重，决定透过司法途径正式提告，希望藉此防止技术和营业秘密遭陆厂剽窃。

美光展开司法反制行动，确已收到强大恫吓和阻挠陆厂开发DRAM脚步。 据了解，跳槽至福建晋华负责研发利基型DRAM的多位重要成员，也是这次遭到调查和限制出境的对象；由福建晋华出资设在联电南科厂的试产线已暂时停止，正由检查人员进行调查。