（文/Yuna），据EE Times Japan报道，京都大学投资的科技初创公司FLOSFIA在12月11日-13日召开的“SEMICON Japan 2019”上展示了GaO功率器件和评估板，并计划于2020年进行全球范围内首次GaO肖特基势垒二极管的量产。
GaO作为功率半导体材料虽然导热性较差，但其带隙（约4.8eV）超过碳化硅（约3.4eV），氮化镓（约3.3eV）和硅（1.1eV）的带隙，可以在改善电动汽车、太阳能和其他形式的可再生能源方面发挥关键作用。
FLOSFIA专门从事雾化学气相沉积（CVD）成膜，致力于开发低损耗功率器件。2015年成功开发了一种二极管，能够比碳化硅降低86%的电阻。2016年的研究中克服了GaO无法制造P型半导体的缺点，成功通过使用氧化铱制成了P型层，并做成了GaO晶体管。并且通过从密度较小的气体通过结晶的方法制作GaO，成功克服GaO技术的高成本问题。
关于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），FLOSFIA方面称目前常关型GaO MOSFET的沟道迁移率已远远超过了商用SiC。和SiC拥有同等水平或以上性能的GaO MOSFET价格也会更便宜。计划于2020年提供样品，2021年投入使用。（校对/holly）
