【通线】8月通线,中环领先12英寸线年内将实现月产能5-10万片;赛晶亚太嘉善项目预计12月投产;超500亿元项目落户湖州

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1、8月通线!中环领先12英寸线年内将实现月产能5-10万片

2、技术升级!华虹半导体95纳米eNVM工艺平台可靠性大幅提升

3、9月厂房主体结顶,52.5亿元赛晶亚太嘉善项目预计12月投产

4、谋划科创板上市的晶合集成与安徽大学签署战略合作协议

5、涉及5G芯片、光迅通讯芯片等领域,超500亿元项目落户湖州

6、达产可期,银和半导体大尺寸硅片二期项目已进入批量化试生产

7、又一国字号创新中心,国家数字化设计与制造创新中心江苏中心在无锡惠山揭牌

1、8月通线!中环领先12英寸线年内将实现月产能5-10万片


(文/小如)7月20日,中环股份在互动平台回答关于“宜兴厂12英寸半导体大硅片是否已经投产”这一问题时表示,宜兴12英寸全自动生产线8月即将通线,年内可实现产能5-10万片/月,2021年实现产能15万片/月。



5月25日,中环股份接受投资者提问时表示,公司半导体大硅片已形成销售收入,天津工厂2万片/月已投产并向全球客户送样,宜兴工厂预计2020年二季度开始投产。

中环领先集成电路用大直径硅片项目,于2017年10月12日签约落地、同年12月28日开工,项目总投资30亿美元。

2019年9月27日,中环领先集成电路用大直径硅片项目8英寸产线正式投产。当时公开信息显示,12英寸厂房将在2019年四季度进入机电安装阶段,预计到2020年1月份实现12英寸产线试生产。而整个项目规划的产能是8英寸的抛光片年产能900万片、12英寸的抛光片年产能720万片。

2、技术升级!华虹半导体95纳米eNVM工艺平台可靠性大幅提升


集微网7月20日消息,全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”,股份代号:1347.HK)宣布,其95纳米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存储器(eNVMEmbedded Non-Volatile Memory)工艺平台通过不断的创新升级,技术优势进一步增强,可靠性相应大幅提升。



华虹半导体95纳米SONOS eNVM工艺技术广泛应用于微控制器(MCU)、物联网(IoT)等领域,具有稳定性好、可靠性高、功耗低等优点。相对上一代技术,95纳米SONOS eNVM 5V工艺实现了更小设计规则,获得了同类产品芯片面积的缩小;逻辑部分芯片门密度较现有业界同类工艺提升超过40%,达到业界领先水平;所需光罩层数较少,能够提供更具成本效益的解决方案。同时,95纳米SONOS eNVM 5V工艺具有更高集成度和领先的器件性能,存储介质擦/写特性达到了2毫秒的先进水平;低功耗器件驱动能力提高20%,仅用5V器件可以覆盖1.7V至5.5V的宽电压应用。

华虹半导体持续深耕,95纳米SONOS eNVM采用全新的存储器结构以及优化操作电压,大大提高了阈值电压的窗口。在相同测试条件下,SONOS IP的擦写能力达到1000万次,可靠性提升20倍;在85℃条件下,数据保持能力可长达30年,处于国际领先水平。华虹半导体致力于持续优化工艺水平,在提升数据保持能力条件下,同时提升擦写次数,更好地满足市场对超高可靠性产品的需求。  

此外,随着高可靠性工艺平台及衍生工艺受到青睐,公司基于SONOS工艺的eNVM更可以涵盖MTP(Multi-Time Programmable Memory)应用。通过简化设计、优化IP面积和减少测试时间等,在IP面积、测试时间、使用功耗和擦写能力上比MTP性能更优,更具竞争力。在此基础上增加配套的可选器件,进一步满足电源管理和RF类产品的需求。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“嵌入式非易失性存储器技术向来是华虹半导体的 ‘王牌’之一,一直保持着业界领先地位,为广大MCU客户提供了灵活多样的技术平台。在‘8英寸+12英寸’战略定位的指引下,公司在8英寸平台上,通过缩小存储单元IP面积、减少光罩层数等方式来进一步强化嵌入式闪存技术工艺;同时,我们发挥12英寸平台更小线宽特性,打造高性能的嵌入式非易失性存储器工艺技术平台,在巩固智能卡芯片制造领航者地位的同时,满足物联网、MCU、汽车电子等高增长的市场需求。”

3、9月厂房主体结顶,52.5亿元赛晶亚太嘉善项目预计12月投产


(文/图图)近日,赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司嘉兴IGBT功率器件项目传来建设新进度。

据浙江在线报道,该项目负责人唐宝成表示,不到20天我们就完成了基础地平,节假日都未停工。按进度,项目要求9月厂房主体结顶,12月投产。



图片来源:浙江在线

据悉,赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司新建年产IGBT功率器件200万件项目,位于嘉善经济技术开发区,总投资52.5亿元,一期投资17.5亿元,计划建设2条IGBT芯片生产线,5条IGBT模块封装测试生产线,年产200万件IGBT功率器件,达产后预计产值超20亿元。

2019年7月16日,该项目正式落地嘉善。据当时嘉善发布消息,项目一期达产后预计年产值将超过20亿元,同时还将在县开发区设立IGBT技术研发中心。

2020年6月,该项目在嘉兴市市二季度集中开竣工仪式上开工。

赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司,成立于2019年9月,公司位于浙江省嘉兴市嘉善县,是赛晶集团投资成立的外商独资企业,是一家专注于IGBT模块生产制造的高科技企业。

4、谋划科创板上市的晶合集成与安徽大学签署战略合作协议


(文/图图)7月17日,安徽大学与晶合集成签署战略合作协议。

据悉,双方将围绕推动产学研用深度融合,培养适应集成电路相关产业发展需求的高素质、复合型“新工科”人才,服务安徽经济社会发展等领域开展合作。



图片来源:晶合集成

晶合集成官方消息显示,晶合集成总经理蔡辉嘉表示,愿与安徽大学共同携手推动合肥市集成电路产业更进一步。当前,晶合正在谋划科创板上市,为公司更好发展提供强大助力。

据合肥在线5月报道,晶合集成是安徽省内首个超百亿级的集成电路项目。同时,晶合集成项目也是安徽省首条12英寸集成电路生产线。晶合集成计划在2020年底具备月产能3万片12英寸晶圆的产能,2021年底将达4万-4.5万片每月的满产规模。


5、涉及5G芯片、光迅通讯芯片等领域,超500亿元项目落户湖州


近日,浙江湖州城市推介会在上海举行,会议上共12个项目签约,涉及高端装备、生物医药等多个领域,计划总投资566.1亿元。


据第一财经报道,签约项目包括:5G移动终端用射频声表芯片生产项目、高导通透明硅基电路板及光迅通讯芯片产业项目、华东硅谷先进智造基地、普天数字港等。

据了解,以5G产业为例,中国移动、中国铁塔、中国联通在湖州布局了上千个5G基站,5G+无人机项目已经开始应用到特高压电塔巡检,在智慧校园领域,湖州首个“5G+”理化生VR实验室在吴兴上线。此外,今年年底湖州将开通5G站点2640个。

6、达产可期,银和半导体大尺寸硅片二期项目已进入批量化试生产


近日,宁夏银和半导体集成电路大尺寸硅片二期项目传来新动态。

据新华网报道,目前,银和半导体集成电路大尺寸硅片二期项目正在进行批量化试生产,将根据市场情况逐步达产。

此外,银和半导体公司负责人浩育洲表示,随着公司二期项目的投产达产,银和半导体将成为国内大尺寸硅片生产佼佼者之一。



据了解,宁夏银和半导体集成电路大尺寸硅片二期项目于2018年3月18日开工奠基,由宁夏银和半导体科技有限公司总投资16亿元,该项目建成后,可年产420万片8英寸半导体级单晶硅片和年产240万片12英寸半导体级单晶硅片,产品涉及电子、半导体、集成电路、通讯、汽车、医疗、国防等产业领域。

据当时的经济日报介绍,银和半导体集成电路大硅片二期项目通过组建海内外专家技术团队,在引进吸收65~45nm制程300mm半导体抛光硅片制造技术(2019年)的基础上研发具有自主知识产权的40~28nm制程300mm半导体抛光硅片制造技术(2020年),建立完善的技术开发、生产运行、品质管理、市场营销运行体系。

值得一提的是,据人民日报早前报道,目前宁夏银和大硅片项目已完成投资11.1亿元,12英寸大硅片和32英寸石英坩埚正在进行批量化试生产,年内逐步达产。

7、又一国字号创新中心,国家数字化设计与制造创新中心江苏中心在无锡惠山揭牌


(文/小如)7月17日,国家数字化设计与制造创新中心江苏中心在无锡惠山区揭牌。



图片来源:网信无锡

国家数字化设计与制造创新中心江苏中心是国家中心在全国布局的五个分中心之一,由华中科技大学无锡研究院参与牵头发起、江苏集萃华科智能装备科技有限公司运营。

华中科技大学无锡研究院作为牵头发起单位,将专注于为制造业高质量发展和下一代智能制造提供高端装备、工业软件和成套工艺,满足战略性和支柱性产业高品质制造对数字化设计与制造共性关键技术不断增长的创新需求。

这是继5月6日工信部批复无锡组建国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心后,又一个落地在无锡的国字号创新中心。

据中国江苏网报道,与集成电路特色工艺及封装测试创新中心由无锡企业主导略有差别,数字化中心的模式是武汉与无锡两地产学研合作、科技人才互动、聚焦数字化协同创新。




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