公开课44期笔记 | 紫光国芯详解IC布图设计登记的保护策略

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集微网第四十四期“集微公开课”于4月20日（周二）上午10:00直播，特邀请到西安紫光国芯半导体有限公司知识产权及法务经理李晓骏带来主题为《集成电路布图登记的保护策略》的演讲。

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为了保护在集成电路市场的技术竞争优势，国内外集成电路企业近年来都更加重视技术创新保护及知识产权专利布局，但是如何才能更好保护集成电路布图设计，实践操作中往往会出现各类问题。

李晓骏在演讲中科普道，根据《集成电路布图设计保护条例》第二条，集成电路布图设计(以下简称布图设计)，是指集成电路中至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路的三维配置，或者为制造集成电路而准备的上述三维配置。其中，有源元件是指，需要电源才能工作的元件，例如：三极管、MOS管。

国务院单行制定《集成电路布图设计保护条例》、《集成电路布图设计保护条例实施细则》来赋予和保护民事主体的集成电路布图设计专有权。从布图设计的保护以独创性作为标准，并不延及思想、处理过程、操作方法或数学概念来看，对该类知识产权的保护在一定意义上更接近于对著作权的保护。

李晓骏对集成电路布图设计登记申请流程及所需材料做了详细概述。

那对于集成电路布图设计登记该如何保护？李晓骏认为，第一，需注重局部保护。即对能够体现电路功能和独创性设计的模块区域进行单独或重点保护。对芯片中的重点模块区域进行保护，既能保护芯片布图设计中的关键模块，又能在侵权判断时容易取证和做出认定。当然，如果是面积和规模很小的芯片，例如简单功能的模拟电路还是应当可以把整个芯片进行布图设计保护。

第二，运用结合保护。结合保护，是指依据所设计的集成电路布图的创新改进部分的特点，灵活的将集成电路布图设计登记和发明或实用新型专利。比如某些更小范围的局部布局、单个或简单器件的组合布局等，这些更适合结合保护。因为专利的格式内容形式（权利要求描述的方式、说明书的解释说明等）集成电路这样多层结构的布图形式不一定能很清楚的界定和保护；而集成电路布图设计登记能够很好的利用图形备案能够相对准确的界定相应的图形结构。例如华夫饼结构和曲栅结构的MOS管、带有虚拟电阻的电阻阵列、圣诞树结构的功率MOS管（如下图）。需要说明的是，这样的简单器件的组合布局的创造性往往不高，所以通过结合实用新型专利保护或许更合适。

第三，适当性登记。因为集成电路布图设计登记在申请时需要提供芯片版图的不同层的图案图片。而这些层的图案最终都是会被制作成相应的掩膜版（Mask），再由光刻机通过这些掩膜版对硅片进行加工最终制造芯片的关键信息。而在上述申请时还需要对不同层进行工艺的说明和介绍。这些信息一定程度上又是各大芯片厂商（比如台积电、三星、中芯国际等）的关键技术信息。这些信息的提供就有可能存在技术秘密泄露的风险。所以为了既能合理进行集成电路布图设计登记的申请保护，又能避免技术秘密泄露的风险，可以在不同层的提供上进行取舍。

最后，侵权判定。对于集成电路布图设计来说，判断侵权是非常困难的。很多时候在面积巨大、数目庞杂的芯片中寻找侵权的证据无异于大海捞针。除了对芯片的研发人员、公司、项目等人为因素做更多的背景调查外，还应该从芯片的功能、参数、特性等多比对分析。同时，因为集成电路布图设计的侵权分析技术门槛很高，也因此催生出很多专门的知识产权分析鉴定服务机构（比如因IPO而被人关注的芯愿景），它们会利用专门的仪器设备以及专门的人员进行相应的布图设计侵权分析等。

（校对/Carrie）