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突破碳化硅芯片设计“卡脖子”技术,中科汉韵SiC功率器件项目通线

来源:爱集微

#中科汉韵#

#SiC#

#通线#

05-24 20:24

集微网消息,5月24日,江苏中科汉韵半导体有限公司SiC功率器件项目通线仪式在江苏徐州开发区凤凰湾电子信息产业园举行。

图片来源:金龙湖发布

据悉,该项目一期建筑面积2.1万平方米,建设年产5000片碳化硅功率器件生产线。

金龙湖发布消息显示,项目的正式通线,标志着我国企业突破了碳化硅芯片设计和工艺制造国产化中的一系列重大“卡脖子”技术,将为徐州市和开发区集成电路产业特别是第三代半导体产业发展注入新的强劲动能。

据无线徐州今年3月报道,中科汉韵碳化硅功率器件生产基地项目下半年启动二期扩建,实现年产能6万片。 

中科汉韵是中国科学院微电子研究所和徐州共同投资的半导体芯片设计与制造(IDM)企业,专注于第三代半导体碳化硅MOSFET芯片。企业团队包括中国科学院微电子研究所的行业专家和多位国内外半导体领域博士,拥有多年大型芯片制造企业工作经验。(校对/诺离)

责编: 小北

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关注本土IC产业风向,聚焦政策、项目

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