新美光荣获2021“芯力量”评选双奖！集成电路刻蚀机核心零部件实现国产替代！

6月25-26日，以“心芯本相印，变化有鲲鹏”为主题的2021第五届集微半导体峰会在厦门海沧正式召开，历时两天。

在26日的集微峰会主会场，2021年中国“芯力量”评选的颁奖活动隆重举行，也宣告本年度芯力量评选圆满落幕，新美光（苏州）半导体科技有限公司获得2021中国“芯力量”投资机构推荐奖、2021中国“芯力量”最具投资价值奖。

对于获得这两个奖项，新美光总经理夏秋良认为，新美光采用国内最领先的超导磁场MCZ单晶硅棒生长技术，生长出450mm直径的半导体级单晶硅棒，在国内取得零的突破，技术处于领先水平。

据介绍，目前，新美光主攻单晶硅、碳化硅两大业务，其中单晶硅部件是应用于65-14nm集成电路主流制程等离子刻蚀的核心零部件；碳化硅部件是应用于前沿的7-2纳米集成电路制程等离子刻蚀的核心零部件。

新美光高品质超大尺寸单晶硅棒生长技术已经取得突破，掌握了国内领先的超导磁场MCZ单晶硅棒生长技术、最大450mm直径极低缺陷生长技术以及先进的计算机系统模拟技术，单次原生多晶投炉量可达到400公斤，可实现精确恒温控制等。

新美光正在积极推动单晶硅棒大规模量产。6月硅部件加工产线进入调试阶段，预计8月份单晶硅部件开始下游送样验证，11月份新增三台长晶炉到厂，12月份搬迁20307㎡量产厂房。截至目前，新美光单晶硅棒已获得批量订单，出口国外客户。

为了保证国产单晶硅棒产业链安全，新美光也在助力国产设备、材料厂商的发展。夏秋良透露，新美光正在与设备厂商联合研发下一代单晶硅棒设备，与设备厂商深度绑定，保证设备供应安全；与此同时，新美光还与能够生长电子级多晶硅的材料厂商合作，推动材料的本土化，保证供应链稳定。

作为第三代半导体材料，碳化硅近几年来备受热捧。碳化硅部件全球范围供不应求，2020年市场为17.5亿元，预计到2026年增加至24亿元，年化增长率7.3%。国内预计7nm（N+2）研发量产成功后需求会迅速增加。

但是碳化硅部件市场主要被TCK垄断。2008年到2016年，TCK 率先成功研发CVD SiC碳化硅部件产品，市占率超过80%。目前中国国内没有任何一家公司能够研制Solid CVD碳化硅部件。

国产碳化硅亟待突破。新美光将碳化硅作为重点业务进行拓展。据介绍，新美光碳化硅部件4月正式启动研发，正在与材料科学姑苏实验室联合攻关，预计2022年年底出样并通过客户认证，2023年实现量产。

 夏秋良介绍，新美光碳化硅采用CVD生长技术，在国内取得零的突破，在国际上处于领先水平。目前国际上只有TCK、Morgan、Coorstek正在积极布局大尺寸碳化硅电极，新美光采用的技术与国外公司类似，技术差距在三年左右。

夏秋良透露，新美光碳化硅部件量产场地正在与各地政府洽谈，未来预计投入10亿元，在2024-2026年期间计划建设18条碳化硅CVD生产线。

(校对/邝伟钧)