半协分立器件年会在大连召开，SiC等第三代半导体成大会热点

集微网报道 7月22日，第十五届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2021年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛在大连开幕。

为期2天的大会共汇集了70多场邀请报告与口头报告，来自大学、研究机构、企业的专家代表，从材料、设备、设计、生产到制造封装的全产业链环节，介绍了二极管、MOSFET、IGBT等半导体分立器件的最新技术进展及发展趋势。其中，多位专家代表的报告涉及第三代半导体功率器件，成为本次大会的一大热点。

中国电子科技集团公司原副总经理、研究员赵正平在“SiC 电力电子学的产业化技术的创新发展”报告中指出，经过20多年发展，宽禁带半导体SiC\GaN已进入产业发展的高速期，6英寸SiC晶圆将会成为主流，8英寸SiC晶圆将开始启动，未来10-15年将是大尺寸SiC的时代。目前，在电力电子领域，主导器件是SiC MOSFET，但是仍需要降低成本；在器件设计方面仍需要提高性能，特别是可靠性和强度、抗浪涌能力等；在封装和模块集成方面，提高可靠性和合成的效率是关键；另外，由于产业界已经用惯了硅器件，在向SiC的迁移上存在着固有的惰性，因此，器件设计生产领域和应用领域需加强结合，在新拓扑结构、驱动电路和抑制寄生效应等方面要创造良好的生态。

西安电子科技大学在“宽禁带半导体发展与展望”报告中指出，宽禁带与超宽禁带半导体有望成为我国半导体技术和产业崛起的新突破口。

电子科技大学集成电路研究中心主任张波教授就“功率半导体器件的国产化挑战”进行分析，他指出，现在是中国半导体人最好的时代，更是中国功率半导体人最好的时代，但发展国内功率半导体面临着不少挑战，IDM是最适合功率半导体的发展模式，但国内缺乏大型且拥有先进工艺生产线的IDM企业。目前，在功率半导体领域，存在低水平重复投入现象，导致宝贵的人才无端被浪费，低毛利产品同质化严重,竞争乏力。他认为，功率半导体器件研制不仅要考虑器件特性，还要考虑应用环境，要根据应用去设计器件性能。

株洲中车时代的报告题目是“交通能源领域功率半导体机遇与挑战”，报告指出，硅基功率半导体将沿着精细化、高频化方向继续发展，同时，SiC\GaN将得到越来越广泛应用，不同结构的器件未来会走向融合，材料、工艺、封装、应用，需要全产业链协同创新。在SiC的发展上，仍需聚焦质量、成本与可靠性问题。

杭州士兰微作为国内少有的大型IDM企业，以“IDM模式下半导体功率器件的发展与应用”为题，介绍了其在功率器件领域的最近研发进展与创新应用。

本次大会上，除了涉及功率器件的设计生产之外，还有关于上下游产业链的设计工具、材料、生产设备及封装测试领域的丰富报告。例如，大连理工大学的“EDA软件的高效测试”、大连海外华昇的“电子浆料在电子器件、基板及模块中的技术与应用”、大连华邦化学的“半导体终端气体纯化器的进展及应用”、中国电子科技集团公司第四十八研究所的“SiC功率器件制造工艺特殊性与核心装备创新进展”，北方华创的“面向化合物半导体及分立器件的制造装备”、先普半导体的“应用于半导体行业的国产ppt级别气体纯化器的研发”、北京华宇博泰的“浅谈半导体特种气体和 CQC气体检测系统”、恩纳基智能科技的“功率半导体封装技术及设备国产化”以及厦门云天半导体的“面向 5G 应用的先进封装技术”等。（校对/Sky）