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内存现货价格下跌速度放缓 估明年Q1触底

来源:爱集微

#DRAM#

#NAND闪存#

#内存#

2021-11-30

图源:电子时报

集微网消息,业内人士表示,DRAM和NAND闪存的现货价格继续下跌,但速度有所放缓,预计将在明年第一季触底。

据《电子时报》报道,11月主流8Gb和16Gb DDR4芯片现货价格下跌0.7-1.5%,而10月的平均跌幅为7%,11月3D TLC NAND闪存芯片现货价格跌幅同样较上月趋缓,SLC和MLC NAND芯片价格已停止下跌。

消息人士指出,为保持价格稳定,上游芯片供应商对明年的产能扩张保持谨慎,使得现货市场的供应商能够协商出更好的价格。据消息人士称,2022年DRAM整体位供应量预计将增加约5%。

同时,出于盈利考虑,芯片供应商正寻求将更多用于低密度商品DRAM内存的可用产能转移至CMOS图像传感器的制造,同时启动DDR6内存研发。

该消息人士称,尽管渠道零售商和分销商对2022年第一季度的需求前景仍然悲观,但在2月中旬之后,需求的可见度有可能变得更加清晰。

终端市场方面,新的第12代英特尔酷睿处理器家族预计将从明年开始刺激PC应用的需求。智能手机方面,明年新的5G机型是否会刺激终端市场需求仍有待观察。服务器方面,需求可能会在2022年1月中旬之后开始回升。

(校对/holly)

责编: 朱秩磊

思坦

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半导体产业观察者,微信:619721947

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