通富微电王鹏：基于硅桥的2.X D技术将是封装企业主流发展方向

集微网消息，3月15-16日，第十九届中国半导体封装测试技术与市场年会（CSPT 2021）正式召开。本次会议以“创新引领、协作共赢、共建芯片成品制造产业链”为主题，对芯片成品制造的创新与趋势、封装测试与设备、关键材料等行业热点问题进行研讨。

在首日举行的高峰论坛上，通富微电子股份有限公司技术行销副总王鹏发表了题为《后摩尔时代封装创新趋势分析》的演讲中，其表示，基于硅桥（Si Bridge）的2.X D技术将会是封装企业的主流发展方向。

近年来，CPU和GPU的裸片尺寸越来越大，随之而来的是晶圆制造的良率和效率的降低，在晶体管成本进一步上升的前提下，其微缩速度也逐渐下降。由此，摩尔定律走向终结的论调甚嚣尘上，超越摩尔成为业内的一种主流声音，而先进封装成为了其中关键所在。

据王鹏介绍，目前大批量主流生产的先进封装包括FCMCM（Flip Chip Multi Chip Modules，覆晶多芯片组件）、FOMCM（Fan-Out Multi Chip Modules，扇出型多芯片组件）、EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多芯片互联桥接）以及基于硅中介层的传统2.5D封装。

而在更高端的小批量生产的技术领域，3D封装在传统2.5D封装的基础上增加了垂直面的封装，目前被应用于最尖端的产品。另外，还有一种基于硅桥的2.X D封装，与3D封装通过TSV实现垂直互联不同，2.X D封装将不同裸片通过基板上的硅桥连接在一起，虽然密度可能低于3D封装，但具有成本优势。

王鹏表示，虽然目前在涨价潮下，下游厂商对价格的忍耐度较高，但从长期驱动力来看，2.X D封装将会是市场上具有强竞争力的封装产品。而对于封装厂来说，2.X D封装最大的不同在于对硅的依赖度低，在此基础上就可做基础的深度开发工作，与客户产品做高度绑定，因此将会是一个主流的发展方向。

据其介绍，在后摩尔时代，通富微电提出了名为ViSionS的total solution，融合先进封装技术，围绕HPC、存储器、SiP三个方向进行布局。其中2.5D技术已于2021年成功开发，实现样品制作，目前正在配合客户做进一步产品认证和量产规划，预计2022年下半年到2023年，一些客户会逐渐进入2.5D封装量产阶段。(校对/隐德莱希)