据韩《朝鲜日报》报道,三星电子试图在制造工艺节点上领跑的努力正遭遇挫折,并未拉近与台积电在代工市场的身位,且面临被进入代工业务的英特尔后来居上。
消息人士对该报表示,三星3纳米工艺试产良率仅10%左右,年内量产第一代3GAE工艺产品,明年实现第二代3GAP工艺量产的计划或将延迟。
该报分析称,良率问题使三星电子流失了高通、英伟达等大客户,如不能解决工艺问题,将面临英特尔越来越大的竞争压力,目前后者已计划在2024年进入2纳米制程。
(校对/Jouvet)
据韩《朝鲜日报》报道,三星电子试图在制造工艺节点上领跑的努力正遭遇挫折,并未拉近与台积电在代工市场的身位,且面临被进入代工业务的英特尔后来居上。
消息人士对该报表示,三星3纳米工艺试产良率仅10%左右,年内量产第一代3GAE工艺产品,明年实现第二代3GAP工艺量产的计划或将延迟。
该报分析称,良率问题使三星电子流失了高通、英伟达等大客户,如不能解决工艺问题,将面临英特尔越来越大的竞争压力,目前后者已计划在2024年进入2纳米制程。
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