据外媒报道，半导体设备巨头应用材料将于集成电路领域顶级会议VLSI Symposium上，发布其模拟AI芯片设计方案。
据报道，该芯片为应用材料与密歇根大学联合研制，使用新型ReRAM器件与RISC-V计算核组成SoC，实现存内计算架构，在机器学习与科学计算上获得较好表现，峰值效率为 20.7 TOP/W。
本月早些时间，应用材料公司也已发表一篇公开论文，介绍了其基于ReRAM的模拟AI芯片架构。
（校对/乐川）
跨界芯片设计，应用材料公司模拟AI芯片亮相集成电路顶会
来源：爱集微
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李沛
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