苏州晶湛半导体将打造氮化镓外延片年产新增10000片项目

集微网消息，7月29日，苏州独墅湖科教创新区发布了苏州晶湛半导体有限公司氮化镓外延片年产新增10000片项目环境影响评价第一次公示。

根据公示，苏州晶湛半导体有限公司正在进行“苏州晶湛半导体有限公司氮化镓外延片年产新增10000片项目”环境影响评价工作。

项目在现有租赁厂房内进行扩建，租用苏州纳米科技发展有限公司位于苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城19幢4楼C1室作为生产区，建筑面积为416.5平方米；租用纳米城19幢4楼405、407室作为检测室，建筑面积为28.84平方米；租用纳米城19幢4楼409室作为仓库，建筑面积为93平方米；租用纳米城20幢517-A室、517-B室、514室、206室、504室作为办公区，建筑面积共计578.79平方米。本项目建成后，预计年新增氮化镓外延片10000片。

晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的开拓者程凯博士于2012年3月回国创办，拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子、射频电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案。今年3月，晶湛半导体宣布完成B+轮数亿元战略融资。（校对/魏健）