苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片

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集微网消息,8月10日,苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶。

据悉,该项目于2021年1月27日奠基,项目占地面积超14000平方米,总建筑面积超34000平方米,将建设成为国际前三的氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地与高端产品生产基地,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。

据苏州纳维科技官网,该公司成立于2007年,专注于高质量氮化镓半导体单晶材料的生长,已实现2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术。(校对/杨晨曦)

责编: 赵碧莹
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