上海技物所等在半导体异质结隧穿电子调控机制研究中取得进展

集微网消息，中国科学院上海技术物理研究所红外科学与技术重点实验室胡伟达、苗金水团队，与美国宾夕法尼亚大学德普·贾瑞拉教授合作，通过耦合局域场调控二维原子晶体能带，实现硒族半导体/硅半导体异质结隧穿电子的有效操控，为混合维度异质结构在高性能电子与光电子器件研制方面奠定理论与实验基础。

中科院消息显示，上海技物所团队利用二维原子晶体无表面悬挂键以及能带结构易受局域场调控的物理特性，探讨了二维硒族原子晶体与硅半导体异质结中隧穿电子在栅极电压与漏极电压协同调控下的输运行为。通过电容耦合的局域电场操控半导体异质结的能带结构，科研人员实现电子band-to-band隧穿效率的有效操控，并观测到负微分电导与齐纳击穿现象。基于二维/三维异质结构的器件，该研究实现6.4mV/decade的极低亚阈值摆幅以及高的电流开关比（10⁶）。

10月28日，相关研究成果发表在《自然-电子学》上。 （校对/韩秀荣）