近日，致真存储(北京)科技有限公司宣布完成数千万元Pre-A轮融资，投资方包括俱成资本、中国互联网投资基金、京鹏投资等。融资资金将主要用于加强研发团队建设和设备采购，提升产品研发能力，加速磁性随机存储器（MagneticRandom-Access Memory，MRAM）芯片的研发和生产线建设落地。
致真存储（北京）科技有限公司是一家以磁存储技术为基础的创新性科技企业，掌握芯片设计、研发及生产制造等关键核心技术。基于产学研全链条合作模式，依托国内半导体制造产业链，发挥产业协同优势，形成了面向MRAM芯片产品的全国产化生产制造流程。公司的核心产品将应用于高可靠电子装置、工业芯片、汽车电子、消费领域及人工智能等多个行业。
致真存储2019年7月成立，设立有北京总部，已完成建设青岛研发中心，未来计划在上海、无锡、南京、杭州等多地开设分公司及研究院，力争成为服务于全国乃至全球的存储芯片解决方案供应商。目前公司团队规模超80人，拥有核心专利80余项，参与国家重点研发计划等多个国家级重点科技项目。
存储芯片在半导体行业中是最为重要的产品之一。2022年全球集成电路产业规模为4744.02亿美元，其中，存储芯片规模为1297.67亿美元，约占集成电路产业总体规模的22.6%。然而随着集成电路先进工艺制程的逐步微缩，高效能应用场景对存储芯片性能的要求进一步提升，传统存储芯片遭遇性能提升的技术瓶颈。以MRAM为代表的新型存储器成为解决存储芯片提高效能的突破口。MRAM不仅拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，还具备闪存（FLASH）的高集成度和非易失特性。
磁存储技术已经历了三代技术迭代。目前市面上广泛流通的产品为第二代自旋转移矩磁存储芯片（Spin-TransferTorque MRAM,STT-MRAM）,该类产品可用于智能消费类电子设备、IoT终端及车载芯片，国际半导体制造龙头企业均已量产相关产品。为更进一步提升MRAM芯片的性能，加强其与半导体先进制程工艺的兼容性（如兼容5nm以下工艺节点），业界提出了第三代技术：自旋轨道耦合矩磁存储芯片（Spin-Orbit Torque MRAM,SOT-MRAM）,该产品在读写速度、寿命、可靠性等性能指标上具有显著优势，可作为Cache级存储器，可以嵌入式形式，在工业芯片、消费电子领域有广泛的应用场景。第三代磁存储技术目前全球各团队均处于研发阶段，市面上尚无成型产品推出，因此不论在专利还是市场方面，都是我国在新型存储领域能够实现弯道超车的最佳赛道。
据Yole等知名半导体分析机构预测，全球新型存储器市场将保持较高水平的增长，预计未来五年将以63%的复合增长率增长，2030年市场规模将达到400亿美元（含独立式与嵌入式）。
致真存储团队在自旋存储芯片领域具有近二十年的科研基础，专注于前沿MARM自旋存储芯片的技术研发和生产，具备物理层面机理探索、材料研究、电路设计、芯片制造及应用开发的全流程能力，尤其在SOT-MARM领域，致真存储的技术水平在全球处于行业领先地位，是一家在磁存储芯片领域具有竞争优势的科技创新公司。
技术层面，团队提出并实现了一种自旋轨道矩-自旋转移矩协同翻转磁矩的MRAM数据写入方法，构建了高密度MRAM产品的设计，并获得了中美授权的门槛性专利，自主研发的高隧穿磁阻效应垂直隧道结，其核心指标高于IBM、IMEC等国际机构。其自研的新一代MRAM芯片可采用一种NAND-SPIN结构，大幅提升容量的同时兼具速度快、寿命长、功耗低等性能优势，该结构可很好地与CMOS工艺兼容，降低制造难度及制造成本。
截至目前，公司已获得中科创星、普华资本、中电海康等多方战略投资，并通过引入产业投资方，实现磁存储产业生态链的资源整合。致真存储已签约青岛市西海岸新区，在地方政府的大力支持下筹划建设8英寸和12英寸的新一代存储芯片专用后道加工生产线，项目预计于2025年上半年建成，届时致真存储将具备磁存储芯片的独立制造能力，一期建设规划年产能可达2万片。
在谈及未来发展规划时，致真存储CEO王戈飞表示：致真存储研发的新一代磁存储芯片，具备高速读写、低功耗、耐擦写、高可靠、宽温区等独特优势，是下一代非易失存储芯片的理想选择，未来该芯片将在各个行业大有可为。我们将利用现有的8英寸研发平台及12英寸产业资源加快研发，同时推动MRAM量产线建设，加速推进国产磁存储芯片的市场化进程，力争成为国内磁存储行业的领军企业。
