致真存储自研128Kb SOT-MRAM流片成功

2023年8月，致真存储（北京）科技有限公司团队自主研发的128Kb SOT-MRAM 芯片成功下线。这是继1Kb SOT-MRAM流片成功后又一个重要的新一代磁存储技术工艺研制里程碑，围绕自旋轨道矩材料、磁性隧道结图案化、专用电路设计等实现了多处技术突破，为新一代磁存储芯片量产、国产高端存储器技术突围、后摩尔时代片上非易失性存储开拓了道路。

致真存储自研128Kb SOT-MRAM

致真存储深耕自旋存储芯片领域近十年，是一家致力于研发和制造磁性随机存储器(MRAM)的创新型科技企业。公司拥有8英寸磁性存储芯片专用后道微纳加工工艺中试线，分别在北京和青岛建立了设计和制造中心。公司组建了一支具备国际视野和创新能力的国际化团队，团队核心成员包括外籍专家、长江学者以及国际存储领域的高级技术人才。

致真存储研发的新一代磁存储芯片 (SOT-MRAM)，采用电子的自旋属性表征数据信息，拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，具备高速读写、低功耗、耐擦写、高可靠、宽温区等独特优势，是下一代非易失存储芯片的理想选择之一。

目前，致真存储已签约落地青岛西海岸新区，总投资数十亿元，计划在新区建设8英寸及12英寸的完整磁存储后道量产线，以加速磁存储芯片的产业化进程，预计2024年底通线，2025年初投产。下一步，致真存储研发团队将在持续扩大芯片容量的基础上，不断完善功能、提升性能，达到可量产可推广状态。