近日,国际半导体产业协会（SEMI）正式发布了碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准——《4H-SiC同质外延片标准》（Specification for 4H-SiC Homoepitaxial Wafer）。此标准由瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司主导编写，中国科学院半导体研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、Wolfspeed等十二家单位参与编写，历时近三年时间。
据悉，《4H-SiC同质外延片标准》这一国际标准的发布实施，将在规范国际碳化硅半导体外延行业有序发展，降低国际贸易协作成本，加速新技术在全球的推广等方面具有深远的意义。（校对/赵碧莹）
