日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业，与从事ATM及通信设备的OKI公司联合开发出了低成本制造氮化镓（GaN）的新技术。这项技术可以使得氮化镓材料的制造成本降低90%以上，如果能够量产，将大幅降低快充充电器、电动汽车马达电控等装置的成本，有利于氮化镓技术普及。
信越与OKI开发的新技术，可以在特有的基板上喷射镓系气体，使晶体生长。信越化学工业的增厚晶体技术与OKI的接合技术相结合，从基板上只揭下晶体。晶体放在其他基板上作为功率半导体的晶圆使用。
这种方法与传统GaN功率半导体的制造方法相比，成本和性能更具优势。目前所采用的在GaN基板上使GaN晶体生长的制法不仅制造耗费时间，成品率还很差，成本高。新制法可以高效制造晶体，可以降低9成成本。
日本公司开发的新技术，不需要基板与晶体之间的绝缘层。加上晶体的厚膜化，可以通20倍的大电流。该技术可以用于制造6英寸氮化镓晶圆，目标是2025年可以增大至8英寸。信越化学工业等，后续还考虑向半导体厂商销售技术等业务模式。
如果大电流、大功率氮化镓功率半导体能够低成本量产，在电动汽车上可取代SiC碳化硅功率半导体，使得快充时间缩短至此前的四分之一。
尽管中国自8月起实施镓、锗及相关材料的出口管制，但是信越化学工业等采用的制造方法，使用中国出口审批对象之外的派生气体，因此不受限制的影响。
据富士经济预测，世界新一代功率半导体市场到2035年将达到5万亿日元，是2022年的31倍。其中，电动汽车用功率半导体将拉动增长。如果GaN能够低成本量产，将大大改变目前行业主要企业的版图。
（校对/赵月）
