补充射频IC封测制造能力,国博电子射频集成产业化二期项目开工

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9月10日,国博电子射频集成产业化(二期)项目在南京江宁开发区开工建设。

据悉,国博电子射频集成产业化项目占地面积约203亩,新建厂房及附属设施,新增设备五百余台套。项目分两期建设,其中一期用地面积约103亩,建筑面积约15.1万平方米,目前已建成投产;二期用地面积约100亩,建筑面积约7.6万平方米(本次开工建设)。射频集成产业化(二期)项目主要包括厂房、食堂和倒班宿舍等,重点补充射频集成电路封测制造能力,同时加强园区后勤配套保障能力,建成后与一期形成射频集成电路规模化设计、制造能力,努力打造成为宽禁带半导体器件及模块国内最大供应商、5G通信技术国内发展主要引领者。

国博电子成立于2000年,主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,产品覆盖防务与民用领域,能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品。江宁发布消息,国博电子是中电国基南方集团有限公司(中电科55所)控股公司。(校对/赵碧莹)

责编: 赵碧莹
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