业内人士11月2日透露，三星电子正计划改造其位于中国西安的NAND闪存工厂，将目前正在生产的128层（V6）NAND闪存生产线升级至236层（V8）。三星决定明年初开始更换设备，并通知了相关行业，目标是到2025年过渡完成。
由于经济不景气，128层NAND库存堆积，因此三星决定减少旧产品的产量，供应未来需求旺盛的236层NAND，而三星向先进工艺的转型正在加速。
除了西安厂将升级外，平泽第一工厂（P1）的NAND工艺也计划从128层转换为236层，且转换此前已经开始。
西安工艺升级之所以受到关注，是因为美国半导体设备法规此前禁止向中国出口能够生产200层以上NAND的设备。
西安工厂是三星的关键工厂，约占三星NAND产量的40%。然而，由于市场状况恶化，128层NAND生产得越多，库存就越多。三星工艺改进迫在眉睫。
今年10月，美国将三星和SK海力士指定为“经过验证的最终用户（VEU）”，三星可以引进设备而无需单独申请。此后，三星决定调整工厂前端流程。
NAND闪存单元的数量就是堆叠的存储单元（Memory Cell）数量，数量越多，容量越大。截至目前，236层NAND是三星电子目前最先进的NAND，三星计划明年初量产约300层的下一代NAND（V9）。
（校对/孙乐）
