彤程新材:光刻胶工程阶段已竣工,目前已逐步进入试生产阶段

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11月5日晚间,彤程新材公告称,公司全资子公司上海彤程电子材料有限公司(简称“彤程电子”)在上海化学工业区投资建设年产1.1万吨半导体、平板显示用光刻胶及2万吨相关配套试剂项目的工程阶段已竣工,目前已逐步进入试生产阶段。

公告显示,该项目工程阶段已竣工,目前已逐步进入试生产阶段。公司上海化学工业区工厂占地36200平方米,设计能力年产1千吨半导体光刻胶、1万吨显示用光刻胶和2万吨高纯EBR试剂(光刻胶去边剂)。同时在国际国内半导体厂商及光刻胶厂商战略合作推动下,完成了产线优化及品控升级。具体情况如下: 

一、半导体光刻胶产能建设情况

公司上海化学工业区工厂年产1千吨半导体光刻胶量产产线,主要包括年产300/400吨ArF及KrF光刻胶量产产线,通过采用超高纯PFA(涂层)设备、引入高精度物料流量控制系统、配以自研的高精度高效率光刻过滤系统,可以实现ppt级金属杂质及0.1um级别的颗粒管控,具备不同配方先进制程光刻胶的生产能力。 

二、半导体光刻胶产品开发及量产能力情况

(一)ArF光刻胶产品情况

在ArF光刻胶产品方面,公司已经完成ArF光刻胶部分型号的开发,首批ArF光刻胶的各项出货指标能对标国际光刻胶大厂产品,已具备量产能力,目前处于量产前的光刻工艺测试及产品验证阶段,能否验证通过尚存在一定的不确定性。

产能可同时供应国内大部分芯片制造商,能较好地满足国内先进制程光刻胶的部分需求。 

(二)、G线、I线及KrF光刻胶产品情况

目前,公司G线光刻胶已经占据国内较大的市场份额;I线光刻胶已广泛应用于国内6"、8"、12"集成电路产线,支持的工艺制程涵盖14nm及以上工艺。KrF光刻胶量产品种达20种以上,稳定供应国内头部芯片制造商。 

三、其他电子化学品项目建设及开发情况

为了解决ArF光刻胶所需的高纯溶剂及国内先进工艺制程的需求,公司已经搭建完成高纯EBR装置,成为国内首家建有高纯EBR精馏塔设备及掌握高纯精馏技术的本土溶剂供应商。 

公司生产的EBR溶剂已达到G4等级规格,可满足国内40纳米以下工艺制程的芯片制造技术需求,年产2万吨的规模量产能力可有效满足国内先进制程需求。预计第四季度将完成高纯度G5等级EBR的验证,已在国内几家先进芯片制造商中逐步推动产品验证。

责编: 邓文标
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