根据研究机构TrendForce集邦咨询消息，英伟达为了供应链更全面稳妥，规划引入更多HBM高带宽内存芯片供应商，其中三星HBM3（24GB）预计2023年12月完成验证。而新一代HBM3e将在2024年Q1完成产品验证。
根据机构统计的时间表，美光已于2023年7月底向英伟达提供HBM3e 8hi（8层24GB）样品，SK海力士的同类产品于8月中旬提供，三星则于10月初提供。
由于HBM芯片验证过程复杂，预计耗时两个季度，因此机构预计，最快2023年年底有望取得部分厂商的HBM3e验证结果，但按计划预计会在2024年一季度完成验证。机构提示，各原厂的HBM3e验证结果，将决定最终英伟达HBM采购分配权重，还有待观察。
2024年，英伟达除了将在A100/A800、H100/H800等已有产品应用HBM芯片，新产品H200将搭载6颗HBM3e，下一代B100将搭载8颗HBM3e。此外，整合英伟达自家Arm架构CPU的超级芯片GH200、GB200也有望于2024年推出。
观察AMD与英特尔的产品规划，AMD将于2024年开始大规模出货MI300系列，采用HBM3；下一代MI350将采用HBM3e，预计2024年下半年开始验证。英特尔目前的Gaudi 2采用6颗HBM2e，将于2024年推出的Gaudi 3持续采取HBM2e，但用量升级至8颗。
机构预测，预计下一代HBM4芯片将于2026年推出，有望带动英伟达等公司芯片的规格、能效更进一步。HBM4的堆叠层数也将提升，从现有最高的12层（12hi）提升至16层，后者预计将于2027年推出。
（校对/赵月）
