机构:预计英伟达将于Q1完成HBM3e验证 2026年HBM4将推出

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集微网消息,根据研究机构TrendForce集邦咨询消息,英伟达为了供应链更全面稳妥,规划引入更多HBM高带宽内存芯片供应商,其中三星HBM3(24GB)预计2023年12月完成验证。而新一代HBM3e将在2024年Q1完成产品验证。

根据机构统计的时间表,美光已于2023年7月底向英伟达提供HBM3e 8hi(8层24GB)样品,SK海力士的同类产品于8月中旬提供,三星则于10月初提供。

由于HBM芯片验证过程复杂,预计耗时两个季度,因此机构预计,最快2023年年底有望取得部分厂商的HBM3e验证结果,但按计划预计会在2024年一季度完成验证。机构提示,各原厂的HBM3e验证结果,将决定最终英伟达HBM采购分配权重,还有待观察。

2024年,英伟达除了将在A100/A800、H100/H800等已有产品应用HBM芯片,新产品H200将搭载6颗HBM3e,下一代B100将搭载8颗HBM3e。此外,整合英伟达自家Arm架构CPU的超级芯片GH200、GB200也有望于2024年推出。

观察AMD与英特尔的产品规划,AMD将于2024年开始大规模出货MI300系列,采用HBM3;下一代MI350将采用HBM3e,预计2024年下半年开始验证。英特尔目前的Gaudi 2采用6颗HBM2e,将于2024年推出的Gaudi 3持续采取HBM2e,但用量升级至8颗。

机构预测,预计下一代HBM4芯片将于2026年推出,有望带动英伟达等公司芯片的规格、能效更进一步。HBM4的堆叠层数也将提升,从现有最高的12层(12hi)提升至16层,后者预计将于2027年推出。

(校对/赵月)

责编: 李梅
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