随着人工智能对AI芯片的需求不断增长，三星、SK海力士都致力于扩大HBM高带宽存储芯片业务，以加强与英伟达、AMD等客户的合作。美国政府正努力推动人工智能半导体的本地生产，近日有业内消息称三星、SK海力士正在商讨在美国生产HBM。
SK海力士于2022年7月宣布将投资150亿美元在美国建立存储芯片封装工厂和研发中心，不过选址至今尚未确定。业界预计，SK海力士将选择生产HBM芯片，并优先实施TSV硅通孔技术。
三星已经开始在得克萨斯州泰勒市建造晶圆厂，该工厂极有可能包含HBM产线。业内人士指出，从第五大HBM（HBM3e）开始，芯片有望采用3nm~5nm工艺生产，因此该工厂将发挥重要作用。
业内人士认为，一方面HBM产品附加值很高，产品售价是标准DRAM的7倍，可以抵消美国本土劳动力成本的劣势；另一方面许多客户如英伟达、英特尔、AMD等都来自美国，同样适合三星、SK海力士选址在美国生产。此外，美国的《芯片法案》还针对美国本土芯片制造提供补贴。
据市场调查机构Gartner预测，2022到2027年，全球HBM市场规模将从11亿美元增至52亿美元，复合年均增长率（CAGR）为36.3%。同期，HBM容量需求将从1.23亿GB增加到9.72亿GB，复合年均增长率为51.3%。三星、SK海力士、美光这三大DRAM企业将从中受惠。
（校对/赵月）
