随着各类电子产品智能设备小型化、轻薄化、大容量的发展，要求作为终端的芯片往小型化、厚度超薄化、容量超大化发展。将多种芯片集成于同一封装体的堆叠封装成为满足存储技术发展的新方向。叠层式封装突破传统平面封装的概念，在2D封装的基础上，立体堆叠3D NAND，3DS TSV，构成立体封装，使组装密度大幅度提高。叠层式封装作为一种新的封装形式，推进封装产品朝着高密度化、高容量化、高频率化以及小型化方向发展。其突出的优点是：叠层封装具有集成度高、质量轻、封装尺寸小、制造成本低等。另外，叠层封装采用的工艺基本上与传统的工艺相容，经过改进可以很快生产并投入市场，使得其发展更为迅猛。而叠层封装最典型的应用就是存储器芯片，它使得存储器终端器件在封装面积不变的前提下，存储容量成倍增加。
片叠层最关键的技术在于如何实现芯片与芯片、芯片与基板之间的互连。当前主流的实现方式是引线键合，其最主要的问题是必须有足够的面积和空间用以实现键合。根据提供空间与面积的方式不同主要分为三种：
1.一是金字塔型叠层封装，使用大小不同的芯片，下层芯片的面积要大于上层；
2.垫板式叠层封装，通过在上下层芯片之间加入一块面积小的普通硅片，使得上下两层间存在实现引线键合所需的空间；
3.错位式叠层封装，使用大小相同的芯片，将紧连的两层进行错位贴装，从而产生面积及空间以实现引线键合，根据错位方式又可分为滑移式与交替式。
华天科技量产的存储芯片等就是典型的堆叠封装，根据Memory产品不同类型可分三类：
1、DRAM, 数据可丢失动态存储器,在断电后数据会消失 ,如LPDDR产品； 华天科技量产的存储芯片 LPDDR3/LPDDR4；其芯片堆叠层数一般为2层、4层、8层。
2、Flash即闪存,分为NOR FLASH 和NAND FLASH两种，其中NAND FLASH增加主控芯片，封装成eMMC，eSSD或UFS产品, 华天科技量产的存储芯片 V-NAND、NAND-eSSD等就是典型的堆叠封装，当前量产芯片堆叠层数可达16层，ODP（8芯片堆叠）和HDP（16芯片堆叠）产品的量产良率保持行业领先状态。
3、MCP实际上就是将 DRAM和FLASH 两种晶体颗粒封装在一起，增加主控芯片成eMCP产品。
针对存储产品华天科技配备行业主流的测试设备UNI5900、NEOS1、T5581H、T5503HS2、T5620、T5833、T5593等，满足各种封装形式存储芯片的测试需求。
后摩尔时代，在芯片堆叠密度不断增长及多芯片整合的需求下，众封装头部厂商纷纷投入先进封装的研究。其中硅通孔封装是一种高密度封装技术，实现硅通孔的垂直电气互联，具有电气互联性更好、带宽更宽、互联密度更高、功耗更低、尺寸更小等优点。对于存储芯片，由传统的引线键合堆叠封装技术向硅通孔键合堆叠的先进封装技术势在必行。
在先进存储芯片封装方面，华天科技也一直走在前沿，目前正在试产基于TSV技术的3DS DDR5封装的存储芯片，量产后对于DRAM封装，堆叠层数将达到8层，最薄芯片厚度达到35um；对于NAND封装，16层叠芯可以批量试产，最多芯片堆叠层数将达到32层，最薄芯片厚度为25um。
华天科技在Memory存储器芯片封装测试领域处于国内领先地位，为众多世界一流客户提供产品与服务。华天科技量产的存储产品类别包括NAND FLASH、NOR、DRAM、Embedded、SD卡、Mini SDP等，满足客户高密度高速度存储封装需求。产品应用在手机、平板电脑、PC主板、服务器、固态硬盘、存储卡、智能家电、机顶盒、路由器网关、安防监控等方面。华天科技始终以全面的 Memory封测产品类型，丰富的量产经验，领先的Memory设计、封装、仿真技术，保证稳定的高质量和高良率，致力成为中国最专业的Memory封测企业！
