中国台湾工研院1月17日宣布，与台积电联手成功开发“自旋轨道转矩磁性存储器”（Spin Orbit Torque MRAM; SOT-MRAM）阵列芯片。该产品具有创新的计算架构，适用于存内计算，功耗仅为STT-MRAM的百分之一，可应用于高性能计算、AI、车用芯片等。
这项研究在国际电子元件会议（IEDM）同时发表论文。中国台湾经济部门表示，随着人工智能、5G、AIoT时代来临，更快、功耗更低的新世代存储芯片成为关键。
此次工研院与台积电合作开发的SOT-MRAM，工作速度可达10ns，可以进一步提高存内运算性能，跳脱了MRAM已往以内存为主的应用情境。
（校对/赵月）
