台积电CFET集成电路及其形成方法专利公开

集微网消息，台积电一项CFET（互补场效应晶体管）结构及其形成方法专利于1月19日公开，申请公布号：CN117423703A，正在审核中。

根据专利摘要描述，本申请的实施例，提供了一种集成电路，包括互补场效应晶体管（CFET）。CFET包括垂直地堆叠的第一晶体管和第二晶体管。导电通孔从第一晶体管的第一源极/漏极区垂直延伸经过第二晶体管。第二晶体管包括非对称的第二源极/漏极区。第二源极/漏极区的非对称性有助于确保第二源极区不接触导电通孔。根据本申请的其他实施例，还提供了用于形成集成电路的方法。

台积电1月18日召开法说会，公布2023年营收692.98亿美元，新台币营收达2.1617万亿元，年减4.5%。2023年实际资本支出304.5亿美元，其中约70%~80%用在先进制程技术。