力积电宣布2024年上半年将与日本东北大学创办的半导体技术企业Power Spin合作，计划量产磁性随机存储器（MRAM）。力积电将采用Power Spin的技术IP，推进研究和产品试制，力争2029年开始量产。
据了解，MRAM存储芯片理论上可以将耗电量降至现有存储器的百分之一，可高速读写，断电也可保存数据。但当前MRAM制造成本较高，而且与现有存储器相比，耐用性、可靠性存在问题。
未来MRAM有望应用于生成式AI数据中心，满足人工智能行业对存储芯片的使用需求，并节省能耗。力积电力争降低MRAM的成本，以实现产品普及。
台积电同样在研发MRAM存储芯片。中国台湾工研院1月17日宣布，与台积电联手成功开发“自旋轨道转矩磁性存储器”（Spin Orbit Torque MRAM; SOT-MRAM）阵列芯片。该产品具有创新的计算架构，适用于存内计算，功耗仅为STT-MRAM的百分之一，工作速度可达10ns，可应用于高性能计算、AI、车用芯片等。
（校对/赵月）
