三星、SK海力士扩大DRAM先进工艺产量

集微网消息，继去年存储半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注。这一举措是预料之中的，因为在强劲的人工智能（AI）需求推动下，高带宽存储（HBM）和DDR5的订单预计会增加。

然而，NAND闪存的前景仍与去年的紧缩立场相似，主要是因为在实际需求复苏仍然不温不火的情况下，大部分投资都投向了先进的DRAM。三星电子去年继续进行大量投资，在竞争对手有限投资情况下，增强其在先进加工领域竞争优势的机会。

考虑到近期DRAM价格的反弹，三星电子和SK海力士正在考虑增加其工厂的半导体晶圆投入。这是为了加快向10nm第四代（1a）和第五代（1b）版本的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。不过，由于半导体行业持续削减DDR4库存，并将投资集中在供应增长缓慢的更精细工艺上，预计今年整体DRAM供应增量有限。

三星电子计划今年在平泽P3工厂全面运营的推动下大幅增加DRAM晶圆投入。随着去年下半年开始以传统DRAM为中心的大幅生产调整，预计到今年年底开工率将逐渐正常化。

SK海力士主要致力于扩大其位于韩国的M16和M14工厂的先进工艺产量。

三星电子和SK海力士强调扩大先进制程份额的原因是预计今年高价值DRAM的需求将持续强劲。HBM与人工智能半导体一起使用，第四代产品HBM3的供应量将大幅增加，第五代产品HBM3E的新量产将开始。DDR5目前安装在AI服务器和个人电脑（PC）中，预计从今年开始过渡到通用服务器。

在去年底将NAND闪存工厂的晶圆投入较年初减半后，三星电子继续奉行积极的NAND闪存削减战略，重点关注128层（第六代）。由于价格大幅下降和老一代NAND闪存销售疲软，该公司正在推动直接过渡到236层（第八代），跳过中间代。

SK海力士还计划今年进行以238层为中心的工艺过渡。不过，由于去年的资本投资主要集中在扩大HBM产能上，NAND闪存先进加工的积极扩张可能会面临挑战。

（校对/刘昕炜）