根据TrendForce集邦咨询统计，预计截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV（硅通孔）的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1800K/m）约14%，HBM供给数量年增长率可达260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。
机构分析师表示，HBM高带宽存储芯片晶圆的尺寸相比同容量、同制程的DDR5大35%~45%，然而良率（包含TSV封装良率）要低20%~30%。生产周期方面，HBM的制造工艺（包含TSV）较DDR5长1.5~2个月不等。
由于HBM芯片生产周期更长，从投片到产出、封装完成需要两个季度以上。因此，急需取得充足供货的买家更早锁定订单。
根据TrendForce了解，大部分针对2024年度的订单均已递交给供应商。
该机构同时预估了三大HBM厂商的HBM/TSV产能，其中三星HBM TSV年产能将在2024年达到130K/m。SK海力士次之，可达120~125K/m；美光相对较少，仅为20K/m、目前三星、SK海力士规划提高HBM产能最积极，其中SK海力士在HBM3市场的占有率逾90%，而三星将连续数个季度紧追，未来将受惠于AMD MI300芯片的逐季放量。
（校对/赵月）
