台积电、新思科技将英伟达计算光刻平台投入生产 加快芯片制造

集微网消息，英伟达3月18日宣布，台积电、新思科技已将英伟达的计算光刻平台投入生产，以加速下一代先进半导体芯片的制造，并突破物理极限。台积电、新思科技已将英伟达cuLitho技术与其软件、制造工业和系统集成，以加快芯片制造速度，并帮助制造最新一代英伟达Blackwell架构GPU。

英伟达CEO黄仁勋表示：“计算光刻技术是芯片制造的基石，我们与台积电和新思科技合作开发的cuLitho技术，应用了计算加速和生成式人工智能（AI），从而开辟半导体制造的新领域。”英伟达同时宣布推出新的生成式AI算法，增强cuLitho。与当前基于CPU计算的方法相比，可显著改进半导体制造工艺。

据英伟达介绍，计算光刻是半导体制造过程中计算最密集的工作负载，每年消耗数百亿小时CPU运行时间。其中芯片生产关键步骤中的典型掩模，可能需要耗费3000万或者更多小时CPU计算时间，这就需要在半导体代工厂内建设大型数据中心。

通过英伟达加速计算技术，350套H100组成的系统现在已经可取代40000颗CPU构成的计算集群，这样可以加快生产时间，同时降低成本、空间和功耗。

台积电CEO魏哲家表示，“我们与英伟达合作，将GPU加速计算整合到台积电的工作流程中，实现了性能的飞跃、吞吐量大幅提升、制造周期的缩短以及功耗的降低。”

新思科技作为EDA软件厂商，在英伟达cuLitho软件库上运行的Proteus光学邻近校正软件大大加快了计算工作量。借助Proteus光掩模合成软件功能，台积电等制造商可以在邻近校正、建立校正模型以及分析已校正和未校正集成电路布局图案的邻近效应方面实现卓越的精度、效率和速度，从而彻底改变芯片制造工艺。

据了解，英伟达开发了生成式人工智能算法，以进一步提升cuLitho平台的价值。新的生成式AI智能工作流程，可将某些工艺速度提高2倍。通过生成式AI技术，可以创建近乎于完美的反向掩模或者反向解决方案，以考虑到光衍射的影响。然后，用传统的物理方法制造最终的成品掩模，从而将整个光学邻近校正（OPC）过程加快2倍。

（校对/孙乐）