长鑫存储一项半导体存储器件及制备方法相关专利获授权

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集微网消息,天眼查显示,长鑫存储技术有限公司近日取得一项名为“隔离沟槽薄膜填充结构、半导体存储器件及制备方法”的专利,授权公告号为CN107706145B,授权公告日为2024年3月26日,申请日为2017年10月19日。

本发明提供一种隔离沟槽薄膜填充结构、半导体存储器件及制备方法,其中,隔离沟槽薄膜填充结构的制备方法至少包括:提供一制备有外围沟槽的半导体衬底;于半导体衬底上形成预制填充材料,覆盖半导体衬底的上表面及外围沟槽的侧壁和底部且形成一缩口颈;预刻蚀预制填充材料去除缩口颈;于半导体衬底上形成高密度等离子体氧化物材料,覆盖预制填充材料并填充满外围沟槽;去除多余的高密度等离子体氧化物材料和预制填充材料,以得到位于外围沟槽内的高密度等离子体氧化物层和预制填充层。本发明通过预刻蚀来改善预制填充材料的外形,使高密度等离子体氧化物材料与预制填充材料之间不易形成空洞,进而避免后续形成的金属位线出现短路而造成器件失效。


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