【专利】华为“芯片、光电转换装置、光模块和光通信系统”专利公布；华虹宏力“超结MOS器件”专利公布

1、华为“芯片、光电转换装置、光模块和光通信系统”专利公布

2、华虹宏力“超结MOS器件”专利公布

3、飞骧科技“宽带差分低噪声放大器及射频芯片”专利获授权

1、华为“芯片、光电转换装置、光模块和光通信系统”专利公布

天眼查显示，华为技术有限公司“芯片、光电转换装置、光模块和光通信系统”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117836589A。

一种芯片（400）、光电转换装置、光模块和光通信系统，涉及光通信技术领域，可以改善因波导探测器（402）在光功率较大情况下饱和，导致波导探测器（402）的光电转换响应度降低的问题。芯片（400）包括波导探测器（402），波导探测器（402）包括波导层（20）、与波导层（20）接触且层叠设置的光电转换层（40）；波导层（20）包括光输入端（21）和光传输部分（22），沿第一方向，光输入端（21）凸出于光电转换层（40）；第一方向为沿光输入端（21）到光传输部分（22）的方向；光电转换层（40）包括第一部分（41）和第二部分（42），第二部分（42）设置于第一部分（41）背离光输入端（21）一侧；沿第二方向，第一部分（41）的宽度（w2）小于第二部分（42）的宽度（w1）；其中，波导层（20）与光电转换层（40）的接触面所在平面中，与第一方向垂直的方向为第二方向。

2、华虹宏力“超结MOS器件”专利公布

天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“超结MOS器件”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117832256A。

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种超结MOS器件。超结MOS器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的下表面与第一导电类型衬底层的上表面接触；第二导电类型掺杂柱，第二导电类型掺杂柱位于第一导电类型漂移区的两侧；其中，第二导电类型掺杂柱的纵向长度小于第一导电类型漂移区的纵向长度；沟槽栅，沟槽栅位于第一导电类型漂移区上；沟槽栅的两侧由上至下依次形成有第一导电类型源区和第二导电类型体区，沟槽栅的下端伸入第一导电类型漂移区中；第二导电类型重掺杂埋层，第二导电类型重掺杂埋层设于第一导电类型漂移区中，第二导电类型重掺杂埋层的上表面与沟槽栅的下表面接触。

3、飞骧科技“宽带差分低噪声放大器及射频芯片”专利获授权

天眼查显示，深圳飞骧科技股份有限公司近日取得一项名为“宽带差分低噪声放大器及射频芯片”的专利，授权公告号为CN117674738B，授权公告日为2024年4月5日，申请日为2023年02月02日。

本发明涉及无线通讯技术领域，公开了一种宽带差分低噪声放大器及射频芯片，所述宽带差分低噪声放大器包括依次电连接的第一信号输入端、第一低噪声放大器和第一信号输出端、以及依次电连接的第二信号输入端、第二低噪声放大器和第二信号输出端；所述第一低噪声放大器包括第一输入匹配电路、第一差分放大电路、第一输出匹配电路以及第一非线性补偿电路；所述第二低噪声放大器包括第二输入匹配电路、第二差分放大电路、第二输出匹配电路以及第二非线性补偿电路。本发明的宽带差分低噪声放大器具有良好的增益和噪声性能的同时提供较高的线性度。