中国科学院微电子研究所在微电子所在光刻胶模型校准研究方面取得重要进展

近期微电子所EDA中心计算光刻团队与腾讯量子实验室，围绕光刻胶模型校准的合作研究取得了重要进展。

针对当前光刻胶模型校准难题，团队通过深入的理论和实验研究，结合具体工艺条件，开发了基于机器学习的光刻胶模型校准贝叶斯优化方法。该方法能够有效利用历史数据对高斯代理模型的训练，同时结合其它全局优化策略，稳定提升光刻胶模型的精确性并提高模型校准效率。实验数据表明，新方法校准的光刻胶模型误差比传统方法降低了21.6%，耗时降低了80%以上。

本成果发表在期刊OPTICS EXPRESS上（DOI: 10.1364/OE.518770）。微电子所马乐为第一作者，董立松副研究员和韦亚一研究员为共同通讯作者。腾讯量子实验室的马星宇、郝少刚为共同作者。

本次合作研究旨在研究人工智能、机器学习在计算光刻领域的应用，提高光刻胶模型准确性和效率，进而提高良率、推动半导体制造技术的发展。双方将继续紧密合作，致力于推进计算光刻仿真的研究。将继续探索新的方法和技术，为计算光刻在半导体制造行业的应用创造更多的可能性。

腾讯量子实验室于2018年初创建于深圳，着眼于计算科学研究布局，探索先进计算科技的发展，关注未来技术的商业应用实践，为提升企业运营效率及效益提供技术助力。

（a）光刻曝光条件和测试图形

（b）在两次实验中各方法的耗时

（c）在训练集和测试集的误差分布