天眼查显示，华润微电子（重庆）有限公司“一种沟道长度可控的自对准沟槽型功率器件及其制作方法”专利公布，申请公布日为2024年5月28日，申请公布号为CN118098940A。
本发明提供一种沟道长度可控的自对准沟槽型功率器件及其制作方法，该器件包括衬底、体区、源极接触区、沟槽、源区、栅氧化层及栅极多晶硅层。本发明的沟道长度可控的自对准沟槽型功率器件的制作方法先将所有需要离子注入的区域（体区、源区、源极接触区）注入完成，在后续生长牺牲氧化层和栅氧化层的时候就可以同时激活杂质，不必单独进行激活杂质的退火过程，从而减少了退火的次数，提高了生产效率，节约了时间。另外，本发明利用源区和体区的扩散速度差，并通过调节源区离子注入的倾斜角度，可以精准调控沟道长度，并避免源区过度的横向扩散。此外，由于源极接触区的离子注入面积非常大，可以大面积提高体区的掺杂浓度，提高器件的UIS能力。
