英诺赛科：英飞凌氮化镓专利侵权指控毫无根据，且影响有限

中国氮化镓（GaN）半导体制造商英诺赛科此前遭到英飞凌的专利侵权指控，但英诺赛科质疑这些指控的有效性。

英飞凌于2024年3月在美国提起诉讼，称英诺赛科侵犯了一项氮化镓技术专利；之后，英飞凌在德国慕尼黑地方法院提起类似诉讼，法院颁布初步禁令，命令英诺赛科禁止在于纽伦堡举办的PCIM Europe 2024展会上展示被指控侵权的产品。

英诺赛科在回应中指出，这一禁令是单方面，这意味着该公司没有机会派出代表出庭，或者对禁令做出回应。该公司称，禁令中提到的专利并不像英飞凌声称的那样涵盖氮化镓功率半导体的底层，而是与氮化镓晶体管的封装有关，这些专利应该不影响英诺赛科继续自由销售氮化镓晶圆。

英诺赛科表示，禁令仅限于PCIM展会，并不影响其在德国为其他客户生产、使用、分销或进口其先进的氮化镓产品。

除此之外，英飞凌还向英诺赛科提出了其他几项专利侵权指控，后者表示，尽管这些指控看起来很重大，但仅涵盖其650V至700V氮化镓晶体管产品系列的一小部分。英诺赛科表示，英飞凌的指控毫无依据，计划在慕尼黑法院为自己辩护，并追究英飞凌的责任。

（校对/孙乐）