SK海力士加大存储器芯片投资 三星、美光不甘落后

高频宽存储器 (HBM) 正在成为持续人工智慧投资竞赛中的一项关键技术，因为 SK 海力士计划斥资数十亿美元用于存储器芯片生产。

近日《BusinessKorea》 报导指出，SK 海力士计划在 2028 年投资 103 兆韩元 (合 748 亿美元)，凸显出该集团对半导体产业的押注，该公司认为半导体产业对其业务的未来发展至关重要。

SK 集团上周日在声明中说，其中约 80%，即 82 兆韩元，将用于投资 HBM 芯片。 SK 海力士的 HBM 芯片经过优化，可与英伟达的人工智慧加速器配合使用。作为押注人工智慧的一部分，SK 电讯公司和 SK 宽频公司将投资 3.4 兆韩元用于数据中心业务。

据市场研究公司 TrendForce 称，SK 海力士去年以 53% 的市占率领先 HBM 市场，其次是三星电子 (38%) 和美光 (9%)。

最近，关于 HBM 有很多消息，但 SK 海力士 HBM 设计主管 Park Myeong-Jae 在最近一篇部落格中表示：“SK 海力士被公认为 HBM 市场无可争议的领导者。”他进一步指出，SK Hynix 于 2009 年开始开发 HBM 芯片。该公司预计高性能存储器芯片的需求将会增加，并花了四年时间开发 HBM，专注于矽通孔 (TSV) 技术。该公司于 2013 年 12 月推出了首款 HBM 芯片。

由于人工智慧热潮推动的需求，SK 海力士已经售出了今年将生产的所有 HBM 芯片以及预计 2025 年产量的大部分。后者的部分原因，是其 HBM 芯片针对与 Nvidia 的高端 GPU 加速器一起使用进行了优化，而该公司是 HBM 市场的先驱。

有人警告称，业界对 HBM 的热情可能会导致 DRAM 供应短缺，除非能够投入更多生产线，因为这种存储器的需求预计今年将成长 200%，并在 2025 年再次翻倍。

不过，作为 HBM 的后进者，美光科技和三星不甘人后。

从长远来看，美光预计其在 HBM 市场的份额将在 2025 年左右与其在整个 DRAM 市场的份额大致相同。有趣的是，美光正在对其 12 高 HBM3E 堆叠进行送样，并将于 2025 年投入量产，并且它还计划在未来产品中采用 HBM 4 和 HBM4E。

三星也火力全开。三星公司执行副总裁兼 DRAM 产品技术领域负责人在今年三月曾表示，预计该公司今年的 HBM 芯片产量将比去年增加 2.9 倍。三星同时还公布了 HMB 路线图，预计 2026 年 HBM 出货量将达到 2023 年产量的 13.8 倍，到 2028 年 HBM 年产量将进一步上升至 2023 年产量的 23.1 倍。