甬矽电子钟磊:专注SiP和Chiplets异质集成方向 紧跟封测技术发展趋势

来源:爱集微 #甬矽电子# #集微大会#
5518

6月28日—29日,以“跨越边界 新质未来”为主题的2024第八届集微半导体大会在厦门国际会议中心酒店盛大举办。

首日,第二届集微半导体制造大会暨产业链突破奖颁奖典礼在线下举办。甬矽电子(宁波)股份有限公司(下称“甬矽电子”)研发总监钟磊在会上发表了题为《系统集成及基于先进晶圆级技术的封装集成趋势》的主题演讲,重点在技术层面分享了封装集成的未来趋势。

作为国内少数专注于先进封装领域的生力军,甬矽电子积极布局基于Chiplet的先进Fan-in/Fan-out、2.5D/3D等晶圆级封装技术,并成功开发多芯片扇出异构集成封装(Multi-Chip Fan-out)技术;完成面向运算、服务器等领域的大颗FC-BGA技术开发并实现量产,有望抢占先进封装行业发展先机。

钟磊表示,此前一直关注整个电子产业的终端需求,随着AI(人工智能)、自动驾驶、大数据及AI在移动终端等的应用驱动,高算力芯片的市场需求不断增长,进而带动先进封装加速渗透与成长。根据Yole数据显示,全球先进封装市场规模将由2022年的443亿美元,增长到2028年的786亿美元,成为未来半导体封测市场的主要增长点。整个封测技术也正在往高阶集成化趋势发展,以及向先进晶圆级封装技术方案/应用拓展推进。

先进封装技术的两大方向:SiP和Chiplets

谈及先进SiP封装的技术方向,钟磊认为,SiP系统级封装集成经历了从单芯片向多芯片,单面封装向双面封装的发展过程,工艺形式也向混合集成封装发展。SiP 封装结构正在向更高集成、性能/功能更强、更小面积/体积、深度客制化设计的方向演变。演讲介绍了SiP设计理念/封装结构和SiP封装技术&方法,主要包括先进的设计规则/设计理念、热学/力学/电性能仿真、双面高密集成SMT集成、细间距CUF & MUF填充、Conformal shielding及Compartmental shielding等技术点。另外,钟磊还简要分享了甬矽电子在包含DSM-SiP等高密模组的技术开发动态。他表示,整个高密度的集成其实是一个产业链的整体发展的一个配合,需要共同努力去满足终端在厚度、尺寸、性能上的需求。

钟磊从晶圆级封装集成– Moore’s Law & Chiplets、晶圆级封装集成– Advanced Fan-out WLP、2.5D/3D Chiplets 异质整合集成等技术及趋势面阐述了Chiplets异质整合技术发展,并介绍了甬矽电子在先进晶圆级封装技术开发推进状态,公司积极布局基于晶圆级的Chiplet技术开发,成功开发实现多芯片扇出异构集成封装(Multi-Chip Fan-Out)及扇出芯片的大颗FCBGA(即FO-FCBGA)技术,同时甬矽电子有序展开2.5D晶圆级封装的研发及向3D封装技术的演进。他表示,异质集成具有芯片工艺选择灵活,芯片架构设计灵活,多节点芯片集成,在缩短高端应用芯片的开发周期的同时减少开发成本和降低供应局限等问题。

持续扩充产能 紧跟发展趋势

关于甬矽电子的概况,钟磊介绍,甬矽电子成立于2017年11月,于2022年11月登陆科创板;聚焦IC先进封装领域,主要终端应用含消费电子、物联网、汽车/工业电子、AI/服务器等领域;一期以系统级封装产品为主,产品线包括WB-LGA, WB-BGA, 混合SiP, QFN, QFP等;二期主要专注于高阶封装,产品线包括FC-CSP, FC-BGA, Bumping, WLCSP, Fan-out, 2.5D等。

钟磊总结道,IC封装集成技术趋势,含高密度集成/双面SiP Module技术,及在 Chiplets 整合技术的延伸,Fan-out、2.5 D、3D 等异质集成结构及技术方案正突破封装IC集成的痛点,极大推动先进封装技术的发展。甬矽电子(FHEC),将专注于包括SiP高密集成及晶圆级Chiplets互联整合技术,紧跟封测技术发展趋势,继续为客户提供高端芯片封装和测试解决方案。

责编: 爱集微
来源:爱集微 #甬矽电子# #集微大会#
THE END

*此内容为集微网原创,著作权归集微网所有,爱集微,爱原创

关闭
加载

PDF 加载中...