据报道，日本存储厂商铠侠(Kioxia)预计将在2027 年之前做好准备，推出1000层3D NAND。据报道，该公司在最近的一次存储产业公开活动上公开相关计划。这将使单一NAND Flash 颗粒的储存容量扩大三倍以上。
报道强调，为了达到1000 层堆叠的水准，铠侠预计可能改用密度更大的QLC NAND Flash。在当今的相关产品中，最常用的NAND Flash类型仍是TLC 架构。TLC 与QLC 架构最大差别在于每个单元的储存位元。存储位元越多，在位元彼此之间的距离愈发接近，生产制程就变得越加困难。
