创新引领未来:紫光国芯堆叠嵌入式DRAM、CXL解决方案闪耀WAIC 2024

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在刚刚闭幕的2024世界人工智能大会暨人工智能全球治理高级别会议(WAIC 2024)上,西安紫光国芯半导体股份有限公司(简称“紫光国芯”,证券代码:874451)凭借其业界领先的超大带宽、超低功耗的堆叠嵌入式DRAM技术(SeDRAM®)和CXL内存扩展主控技术方案,吸引了诸多与会嘉宾高度关注并驻足交流。此次盛会不仅见证了紫光国芯在存储技术领域的深厚积累,更彰显了其在AI时代存储解决方案领域创新引领者的地位。

AI时代的存储挑战与紫光国芯的破局之道

随着AI技术的迅猛发展,在硬件领域,AI算力芯片与AI服务器平台的存储系统性能成为制约AI性能提升的关键因素之一,由来已久的“存储墙”难题也愈发凸显。紫光国芯凭借其敏锐的市场洞察力和深厚的技术积累,通过自主研发的SeDRAM®技术和CXL技术,为突破“存储墙”难题提供强有力的技术方案支持。

SeDRAM®技术:实现片内数十TB访存带宽、数十GB存储容量

紫光国芯SeDRAM®技术,创新性地通过Wafer-to-Wafer(WoW)3D堆叠,实现了数十TB的内存访问带宽和数十GB的存储容量,突破了传统存储方案的性能瓶颈。该技术摒弃了HBM或DDR存储方案中的PHY-PHY互连结构,采用金属层垂直互连的方式,大幅降低了访存延迟和功耗。目前,紫光国芯的SeDRAM®技术已演进至第三代,其技术水平及应用案例均处于行业领先地位,为AI、高性能计算(HPC)等应用场景提供了卓越的高性能存储解决方案。

堆叠嵌入式DRAM(SeDRAM®)技术

紫光国芯SeDRAM®技术可为用户提供“带宽+容量”的差异化存储组合方案,采用标准IP化交付形式,完全兼容传统的SoC设计流程,有效缩短了产品研发周期,并助力用户产品性能实现最大化提升。

片内超大带宽、超低功耗存储解决方案:SeDRAM®

过去五年间,紫光国芯凭借其在堆叠嵌入式DRAM领域的技术积累,成功支持了二十余款产品的研发或量产,进一步巩固了其在行业内的领先地位。

CXL内存扩展主控技术:容量及带宽扩展技术赋能高性能服务器

紫光国芯作为CXL技术的早期布局者,积极参与了技术探索与产品应用推进。在此次展会上,紫光国芯展出了其行业领先的CXL内存扩展主控技术方案,该方案旨在满足高性能服务器平台在系统主存的容量和带宽扩展、内存池化等方面的应用需求,为大数据处理、AI计算等多应用场景提供了高性能的存储解决方案。

紫光国芯的CXL内存扩展主控技术方案具有出色的兼容性和可扩展性,已适配多型号主流处理器并支持多种存储介质,通过与行业上下游头部厂商的紧密合作,该方案在访存延迟、带宽等方面均表现出色。

CXL内存扩展主控技术方案

持续创新与技术引领

据了解,紫光国芯一直以来持续投入高性能存储方案的研发,尤其在堆叠嵌入式DRAM领域,有着深厚的技术积累。近两年,随着人工智能各类场景的快速落地,采用SeDRAM技术的算力芯片能够实现性能的极致释放。在CXL技术领域,紫光国芯作为行业的先行者,紧跟市场和生态的发展,其提供的解决方案将有效助力高性能服务器进一步提升产品的竞争力。

责编: 爱集微
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