据三安半导体消息，7月24日，三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式。这标志着三安SiC项目二期通线在即，将为全面加速8英寸SiC产业布局，实现产线正式投产奠定良好基础。

据悉，三安SiC项目总投资达160亿元，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6英寸SiC晶圆、48万片8英寸SiC晶圆的制造能力。预计到今年12月，M6B将实现点亮通线，8英寸SiC芯片将正式投产，三安将正式转型为8英寸SiC垂直整合制造商。

湖南三安半导体有限责任公司（简称：三安半导体），作为上市公司三安光电的全资子公司，是一家专注于电力电子领域，提供功率半导体产品及代工服务的制造商。该公司主要从事宽禁带半导体的研发、设计、制造、销售和服务，产品与服务包括SiC MOSFET/SBD、SiC衬底/外延、车规级SiC功率模块代工等，核心性能及可靠性符合行业高品质标准，服务于新能源汽车、光伏储能、充电桩、通信电源、服务器电源、家用电器、消费电子等领域的全球超800家客户，SiC芯片/器件已累计出货超3亿颗。

 三安半导体消息指出，未来，三安将充分发挥自身优势，加大研发投入，提高产能，共同推动8英寸SiC芯片领域的发展。在市场拓展利好消息的加持下，三安有望加速8英寸SiC从材料到器件模块直至终端应用全流程的落地实施，为我国第三代半导体产业的发展注入强大动力。（校对/张琳）