7月30日，同有科技发布2024年上半年业绩报告称，H1实现营收252,077,647.76元，同比增长24.52%；归属于上市公司股东的净利润为45,152,440.28元，较上年同期增长201.33%；归属于上市公司股东的扣除非常性损益的净利润为44,532,909.16元，较上年同期增长196.88%。
自2023年四季度以来，半导体行业供需关系改善明显、去库存管理效果显著、存储芯片价格不断提升，带动整体存储市场逐步复苏。此外，随着5G、AI等技术的不断发展和普及，新技术对存储性能和数据处理能力的要求不断提高，为存储厂商提供了更广阔的市场空间。
存储行业景气度进入上行通道，进一步扩大了国产存储上下游厂商的施展空间。上游国产存储芯片原厂已经实现了232层闪存的量产，并成功将3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提升到3D TLC NAND Flash相当的水平，在技术和性能上与国际大厂并驾齐驱，技术的突破标志着中国存储芯片产业迈入了国产替代的快车道，带动整个存储上下游产业链国产化率的持续提升。此外，国内其他IT厂商以国家自主可控战略为引导，持续加大研发投入，由以前产业链内国产化的单点突破，构建起从半导体材料、到核心芯片、元器件、基础软件，再到整机、应用软件的完整自主可控生态，形成具备规模化推广的产业生态体系。
在此背景下，报告期内，同有科技连续发布自主可控端到端全闪集中式及分布式存储系统产品。新产品采用最新一代FT5000 CPU、PCIe5.0系统总线、国产NVMe全闪存储介质、国产DDR5内存，带宽、IOPS、延时等关键性能指标对标国外X86平台一线存储。集中式存储具有成熟稳定、超高性能、超低延时优点，分布式存储具有高性能、高可靠、易扩展优点，两者结合可覆盖大型数据库、AI、大模型、HPC、大数据分析等主流应用场景。集中式存储与分布式双线布局，可以使公司贴合用户业务需求灵活设计产品配置和构建解决方案，满足用户核心应用场景超高性能国产自主可控存储需求，为公司未来的持续发展打下扎实基础。
截至目前，自主可控集中式和分布式双架构产品实现从低端到高端的跨越，高端产品突破公司国产自主可控产品性能瓶颈。全系列产品实现从硬件到软件全栈自研，产品底层芯片、操作系统、存储介质等关键软硬件实现100%全国产。报告期内，公司已经走出战略转型的深水区，公司产品技术优势开始显现，存储系统收入实现同比大幅增长，带动合并净利润实现同比上涨。
同有科技同时整合产业链内闪存主控芯片、固件技术，加速公司集中式、分布式架构超高性能自主可控端到端全闪存储系统研制进程。此外，受益于半导体存储行业周期的回暖，参股公司忆恒创源盈利状况大幅改善，进一步带动公司报告期业绩上涨。参股公司忆恒创源和泽石科技报告期内持续加大研发投入，分别在国产企业级PCIe5.0固件及模组和国产企业级PCIe5.0主控芯片方面的研制进展加速。公司未来将巩固产业链协同优势，在国产自主可控存储技术领域强强联合，持续优化公司存储产品性能及加速产品的迭代更新，不断提升公司技术竞争力。
